芯峰光电技术(深圳)有限公司钟文彪获国家专利权
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龙图腾网获悉芯峰光电技术(深圳)有限公司申请的专利一种垂直发射型EML芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116632650B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310283716.6，技术领域涉及：H01S5/12；该发明授权一种垂直发射型EML芯片是由钟文彪;李素萍;钟文斌设计研发完成，并于2023-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种垂直发射型EML芯片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种垂直发射型EML芯片，属于EML芯片技术领域，包括衬底和发射柱，衬底上方设置有氧化层，氧化层上方设置有EAM‑MQW层，EAM‑MQW层上方设置有DFB‑MQW层，DFB‑MQW层上方设置有光栅层，光栅层上方设置有InP包层，InP包层上方设置有电极层，电极层上设置有EA引脚和SOA板，EAM‑MQW层至电极层间开设有垂直腔，发射柱设置在垂直腔内侧壁上，发射柱上设置有LD激光器。本发明通过EAM‑MQW层和DFB‑MQW层的设置，减少EML芯片制作的复杂性，提升EML芯片的制成速度，提高EML晶元的良率和稳定性，便于保证EML芯片的一致性，使得加工更容易，降低了制作成本，同时垂直腔和EA引脚的设置，可以使得EML芯片可以灵活适应内外部存储，提高了芯片的适用性，提升了波长的稳定性和均匀性。
本发明授权一种垂直发射型EML芯片在权利要求书中公布了：1.一种垂直发射型EML芯片，包括衬底1和发射柱2，其特征在于，所述衬底1上方设置有氧化层6，所述氧化层6上方设置有EAM-MQW层7，所述EAM-MQW层7上方设置有DFB-MQW层8，所述DFB-MQW层8上方设置有光栅层9，所述光栅层9上方设置有InP包层10，所述InP包层10上方设置有电极层11，所述电极层11上设置有EA引脚4和SOA板5，所述EAM-MQW层7至电极层11间开设有垂直腔，所述发射柱2设置在垂直腔内侧壁上，所述发射柱2上设置有LD激光器3。
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