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友达光电股份有限公司陈英杰获国家专利权

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龙图腾网获悉友达光电股份有限公司申请的专利驱动电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116704940B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310842882.5,技术领域涉及:G09G3/20;该发明授权驱动电路是由陈英杰;欧懿夫;蓝咏翔设计研发完成,并于2023-07-11向国家知识产权局提交的专利申请。

驱动电路在说明书摘要公布了:本发明公开了一种驱动电路。驱动电路包含驱动晶体管、储存电容、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及第四晶体管。驱动晶体管的第一端电性耦接系统高电压端。驱动晶体管用以控制提供予发光元件的驱动电流。储存电容的第一端电性耦接驱动晶体管的栅极端。第一晶体管的第一端电性耦接储存电容的第二端,第一晶体管的第二端用以接收数据信号。当第一晶体管依据第一控制信号开启时,储存电容根据数据信号的电压变化,通过电容耦合效应重置驱动晶体管的栅极端的电压。

本发明授权驱动电路在权利要求书中公布了:1.一种驱动电路,其特征在于,包含: 一驱动晶体管,其第一端电性耦接一系统高电压端,其中该驱动晶体管用以控制提供予一发光元件的一驱动电流; 一储存电容,其第一端电性耦接该驱动晶体管的栅极端; 一第一晶体管,其第一端电性耦接该储存电容的第二端,其第二端用以接收一数据信号; 一第二晶体管,电性耦接在该驱动晶体管的第二端与栅极端之间; 一第三晶体管,其第一端用以接收一参考电压,其第二端电性耦接该储存电容的第二端;以及 一第四晶体管,电性耦接在该驱动晶体管的第二端与一系统低电压端之间, 其中,当该第一晶体管依据一第一控制信号开启时,该储存电容根据该数据信号的一电压变化,通过电容耦合效应重置该驱动晶体管的栅极端的电压; 该数据信号的该电压变化是一预充电电压与一重置电压之间的变化。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人友达光电股份有限公司,其通讯地址为:中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行二路1号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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