山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司席鑫获国家专利权
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龙图腾网获悉山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司申请的专利一种GaN/BiVO4/WO3半导体复合材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116899608B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310905843.5，技术领域涉及：B01J27/24；该发明授权一种GaN/BiVO4/WO3半导体复合材料及其制备方法是由席鑫;李拓;刘凯;邹晓峰;王长红;苏康;李国庆;李南君;郭建文设计研发完成，并于2023-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种GaN/BiVO4/WO3半导体复合材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提出了一种GaNBiVO4WO3半导体复合材料及其制备方法，其中，GaNBiVO4WO3半导体复合材料的结构包括：衬底、GaN层、BiVO4层以及WO3层；其中，GaN层形成于衬底上，BiVO4层形成于GaN层上，WO3层形成于BiVO4层上，并在GaN层、BiVO4层以及WO3层之间形成异质结；异质结用于形成内部空间电荷区以在GaN层、BiVO4层以及WO3层产生光生电子空穴对时对光生电子空穴对产生分离作用。通过本发明方法制备的GaNBiVO4WO3复合材料，能够通过窄带隙BiVO4和WO3的结合来拓宽宽带隙半导体GaN的波长吸收范围，并在WO3、BiVO4与GaN之间形成有利于提升光解水效率的双异质结结构，通过两层异质结电场的分离作用能够有效的避免电子与空穴重新结合，并且能够加速电子与空穴的定向流动，从而大大提升光催化效率及光吸收能力。
本发明授权一种GaN/BiVO4/WO3半导体复合材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种GaNBiVO4WO3半导体复合材料，其特征在于，包括： 衬底、GaN层、BiVO4层以及WO3层； 其中，所述GaN层形成于所述衬底上，所述BiVO4层形成于所述GaN层上，所述WO3层形成于所述BiVO4层上，并在所述GaN层、所述BiVO4层以及所述WO3层之间形成异质结； 所述异质结用于形成内部空间电荷区以在所述GaN层、所述BiVO4层以及所述WO3层产生光生电子空穴对时对所述光生电子空穴对产生分离作用。
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