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浙江大学张运炎获国家专利权

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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种多级发光分支纳米线发光器件及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117038696B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311008754.7,技术领域涉及:H10H29/30;该发明授权一种多级发光分支纳米线发光器件及其制备方法是由张运炎;张林君;查超飞;程志渊设计研发完成,并于2023-08-11向国家知识产权局提交的专利申请。

一种多级发光分支纳米线发光器件及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种多级分支纳米线发光器件及其制备方法,包括至少一个生长于CMOS器件的有源区或硅衬底上的树状结构纳米线,所述树状结构纳米线包括主干纳米线和连接在所述主干纳米线上的至少一个分支纳米线,所述分支纳米线含有多个发光区。解决像素颗粒小型化方面的技术瓶颈,使得单个芯片就可以减轻VR画面严重的颗粒感、栅格、亮度对比度不够高等严重影响画面真实感的问题。因此,采用本发明技术的半导体制造的显示设备具有超高像素密度、体积小、重量轻、功耗低、发光亮度高、便携性大、色温稳定、使用寿命长、全彩单色均可实现等优点。

本发明授权一种多级发光分支纳米线发光器件及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种多级分支纳米线发光器件,其特征在于,包括至少一个生长于CMOS器件的有源区或硅衬底上的树状结构纳米线,所述树状结构纳米线包括主干纳米线和连接在所述主干纳米线上的至少一个分支纳米线,所述分支纳米线含有至少一个发光区;所述分支纳米线每一段为分段、部分分段或者整体统一控制;电极是金属材料,作为该器件的金属电极,电极是透明ITO材料,作为树状结构纳米线分支与电极连接部分,通过控制多级分支纳米线顶端电极的电压,使得树状结构纳米线的多级分支纳米线的VDS不同,形成VDS1、VDS2、VDS3、VDSx,通过VG和VDSx实现树状结构纳米线的多级分支纳米线独立控制,能够实现多级控制效果。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人浙江大学,其通讯地址为:310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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