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龙图腾网获悉西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司申请的专利导流筒的处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117326877B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311275560.3，技术领域涉及：C04B35/66；该发明授权导流筒的处理方法是由史铁柱;潘浩;秦中正设计研发完成，并于2023-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本导流筒的处理方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种导流筒的处理方法，包括：沉积步骤：将导流筒置于碳氢化合物气体中沉积形成热解碳层；浸渍步骤：将具有热解碳层的导流筒置于前驱体液中浸渍；高温处理步骤：将浸渍后的导流筒置于第一气氛环境中在第一温度下处理1‑4h；将在第一温度下处理后的导流筒置于第二气氛环境中在第二温度下处理5‑30min；将在第二温度下处理后的导流筒置于第三气氛环境中在第三温度下处理1‑4h；前驱体液包括聚碳硅烷、SiC、溶剂；第一温度为120‑200℃，第一气氛环境包括惰性气氛或真空环境；第二温度为800‑1200℃，第二气氛环境包括氧化性气氛；第三温度为1300‑1500℃，第三气氛环境包括惰性气氛或真空环境。上述方法处理的导流筒，表面不易氧化损坏，避免发生表面开裂、掉块。

本发明授权导流筒的处理方法在权利要求书中公布了：1.一种导流筒的处理方法，其特征在于，包括： 沉积步骤：将导流筒置于碳氢化合物气体中进行沉积形成热解碳层； 浸渍步骤：将具有热解碳层的导流筒置于前驱体液中进行浸渍； 高温处理步骤：将浸渍后的导流筒置于第一气氛环境中在第一温度下处理1-4h； 将在第一温度下处理后的导流筒置于第二气氛环境中在第二温度下处理5-30min； 将在第二温度下处理后的导流筒置于第三气氛环境中在第三温度下处理1-4h； 其中，所述前驱体液包括聚碳硅烷、SiC、溶剂； 所述第一温度为120-200℃，所述第一气氛环境为惰性气氛或真空环境； 所述第二温度为800-1200℃，所述第二气氛环境为氧化性气氛； 所述第三温度为1300-1500℃，所述第三气氛环境为惰性气氛或真空环境； 所述前驱体液中聚碳硅烷、SiC与溶剂的质量比为1-4：0.5-1.5：3-7。

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