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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种LDO恒定过流保护电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117519394B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311702501.X，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种LDO恒定过流保护电路是由罗萍;陈俊林;吴泉澳;辛相文设计研发完成，并于2023-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种LDO恒定过流保护电路在说明书摘要公布了：本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种用于LDO的过流保护电路。本发明提出一种LDO恒定过流保护电路，所述LDO过流保护电路由采样管、电流比较器以及保护开关组成，过流保护电路的输入即采样管的输入接功率管POWERMOS的栅极和源极，过流保护电路的输出即保护开关的输出接缓冲级的输入。采样管采样功率管的电流，电流比较器比较经过处理的采样电流与基准电流，电流比较器的输出控制保护开关的关断。未过流时保护开关不开启过流保护电路，从而不影响LDO环路的工作；过流时，保护开关打开，限制LDO功率管电流大小至恒定值，保护LDO不损坏。所述过流保护电路具有小型化低功耗特征，同时应用本发明的LDO电路拥有过流时快速恢复能力，不存在闩锁问题。

本发明授权一种LDO恒定过流保护电路在权利要求书中公布了：1.一种LDO恒定过流保护电路，其特征在于，包括采样管、电流比较器和保护开关； 所述电流比较器包括第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、电流镜、电流源I、第一电阻R1；其中，所述第一PMOS管MP1的栅极与漏极相连，并连接第二PMOS管MP2的栅极，第一PMOS管MP1的源极接电源，第一PMOS管MP1的漏极接电流源I的一端，电流源I的另一端接地VSS；所述第二PMOS管MP2的栅极接第三PMOS管MP3的栅极，第二PMOS管MP2的源极接第一电阻R1的一端，第二PMOS管MP2的漏极接电流镜的输入端，第一电阻R1的另一端接电源；所述第三PMOS管MP3的源极接电源，第三PMOS管MP3的漏极接电流镜的输出端； 所述保护开关的栅极接第三PMOS管MP3的漏极，保护开关的源极接地VSS，保护开关的漏极接LDO中EA的输出； 所述采样管的栅极接LDO中功率管的栅极，采样管的源极接LDO中功率管的漏极，采样管的漏极接第二PMOS管MP2的源极。

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