科磊股份有限公司M·吉诺乌克获国家专利权
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龙图腾网获悉科磊股份有限公司申请的专利使用分开目标的拼接误差的测量获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117980827B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202280063660.7，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权使用分开目标的拼接误差的测量是由M·吉诺乌克;Y·弗莱设计研发完成，并于2022-04-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本使用分开目标的拼接误差的测量在说明书摘要公布了：一种半导体计量方法包含：图案化半导体衬底上的膜层以界定所述半导体衬底上的第一场，所述第一场具有包括沿所述第一场的第一边缘的第一边际内的至少一第一目标特征的第一图案，且界定邻接所述第一场的第二场，所述第二场具有包括沿所述第二场的第二边缘的第二边际内的至少一第二目标特征的第二图案，使得所述第二场的所述第二边缘紧邻所述第一场的所述第一边缘。所述第一边际中的所述第一目标特征相邻于所述第二边际中的所述第二目标特征而不与所述第二目标特征重叠。捕捉且处理至少所述第一目标特征及所述第二目标特征的图像以检测所述第一场与所述第二场之间的失准。
本发明授权使用分开目标的拼接误差的测量在权利要求书中公布了：1.一种半导体计量方法，其包括： 图案化半导体衬底上的膜层以界定所述半导体衬底上的第一场，其具有包括沿所述第一场的第一边缘的第一边际内的至少一第一目标特征的第一图案； 图案化所述半导体衬底上的所述膜层以界定邻接所述第一场的第二场，其具有包括沿所述第二场的第二边缘的第二边际内的至少一第二目标特征的第二图案，使得所述第二场的所述第二边缘紧邻所述第一场的所述第一边缘，且所述第一边际中的所述第一目标特征相邻于所述第二边际中的所述第二目标特征而不与所述第二目标特征重叠； 捕捉包含至少所述第一目标特征及所述第二目标特征的所述图案化膜层的区域的图像； 处理所述图像以检测所述第一场与所述第二场之间的失准，及 其中图案化所述膜层包括在靠近所述第一目标特征的所述第一场内形成至少所述第一目标特征的另一例子，且其中处理所述图像包括使用至少所述第一目标特征的所述另一例子来计算对准校准函数，且将所述对准校准函数应用于测量所述第一场与所述第二场之间的失准。
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