华南理工大学蒋盛获国家专利权
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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种三维自旋霍尔纳米振荡器串并联阵列及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118475218B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410670286.8，技术领域涉及：H10N50/20；该发明授权一种三维自旋霍尔纳米振荡器串并联阵列及制备方法是由蒋盛;傅盈玉设计研发完成，并于2024-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种三维自旋霍尔纳米振荡器串并联阵列及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种三维自旋霍尔纳米振荡器串并联阵列及制备方法，其中阵列包括多个双层和或三层薄膜结构的自旋霍尔纳米微波振荡器单元；多个单元进行堆叠排列，形成三维的自旋霍尔纳米振荡器串并联阵列；电流通过左右电极通入振荡器，在强自旋轨道耦合层中转换为自旋流，并作用于铁磁层磁矩，磁矩的高频进动通过磁阻效应使器件电阻产生周期变化，在交换耦合作用产生的自发交换偏置场辅助下，输出微波信号。本发明一方面提出了利用反铁磁层与铁磁层的交换耦合作用产生的交换偏置场代替外加磁场，减小应用的复杂性，另一方面采取三维自旋霍尔纳米振荡器串并联阵列的方法在更大程度上提高了输出的信号功率，可广泛应用于信息通讯与射频技术领域。
本发明授权一种三维自旋霍尔纳米振荡器串并联阵列及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种三维自旋霍尔纳米振荡器串并联阵列，其特征在于，包括多个双层薄膜结构的自旋霍尔纳米微波振荡器单元和或三层薄膜结构的自旋霍尔纳米微波振荡器单元；多个自旋霍尔纳米微波振荡器单元按照预设方式进行堆叠排列，形成三维的自旋霍尔纳米振荡器串并联阵列； 所述双层薄膜结构的自旋霍尔纳米微波振荡器单元由反铁磁层、在该反铁磁层上方的铁磁层以及左右侧电极共同组成； 三层薄膜结构的自旋霍尔纳米微波振荡器单元由反铁磁层、在该反铁磁层上方的铁磁层、在该铁磁层上方的强自旋轨道耦合层以及左右侧电极共同组成； 其中，电流通过左右电极通入振荡器，在强自旋轨道耦合层中转换为自旋流，并作用于铁磁层磁矩，磁矩的高频进动通过磁阻效应使器件电阻产生周期变化，在反铁磁层和铁磁层间的交换耦合作用产生的自发交换偏置场辅助下，最终输出微波信号。
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