厦门大学李成获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门大学申请的专利一种硅基悬空弛豫GeSn结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118688901B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410763678.9，技术领域涉及：G02B6/136；该发明授权一种硅基悬空弛豫GeSn结构的制备方法是由李成;钱进辉;钱坤;吴淞嵩;陈松岩;黄巍;林光杨设计研发完成，并于2024-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅基悬空弛豫GeSn结构的制备方法在说明书摘要公布了：一种硅基悬空弛豫GeSn结构的制备方法，包括以下步骤：步骤1：将外延的硅基GeSn薄膜进行标准光刻步骤；步骤2：采用氧化酸性垂直刻蚀溶液刻蚀GeSn薄膜和部分Ge缓冲层；步骤3：采用F基等离子体进行横向刻蚀Ge缓冲层；步骤4：丙酮溶液浸泡去胶，完成结构制备。本发明的GeSn悬空结构可以弛豫GeSn合金的应变，实现直接带隙；制备悬空结构的工艺简单，所制备的GeSn悬空结构相比其他工艺具有样品表面平整、粗糙度低、GeSn损耗小的特点；为硅基GeSn发光器件制备提供了一种新型工艺方法，有望在硅基光电子领域发挥巨大的作用。
本发明授权一种硅基悬空弛豫GeSn结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种硅基悬空弛豫GeSn结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1将外延的硅基GeSn薄膜进行标准光刻工艺； 2采用氧化酸性垂直刻蚀溶液刻蚀GeSn薄膜和部分Ge缓冲层； 3采用F基等离子体进行横向刻蚀Ge缓冲层形成Ge柱以支撑微盘； 4丙酮溶液浸泡去胶，完成结构制备。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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