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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种纳米空气沟道光电二极管阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118693117B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410691564.8，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权一种纳米空气沟道光电二极管阵列是由陈飞良;李向阳;李沫;张健;孙立新;李晓旭;罗涛;姜昊;杨帆;刘洋设计研发完成，并于2024-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种纳米空气沟道光电二极管阵列在说明书摘要公布了：本发明提供了一种纳米空气沟道光电二极管阵列，所述阵列包括三层结构，第一层是透明衬底和位于其上的多个纳米空气沟道光电二极管，第二层是垂直互联金属柱，第三层是介质基板和位于其上的电路，第一层中的多个纳米空气沟道光电二极管是光电转换元件，第三层中的电路包括射频电路、天线阵列和信号读出电路；第一层的纳米空气沟道光电二极管和第三层的电路之间通过第二层的垂直互联金属柱进行电互联。本发明提出的纳米空气沟道光电二极管阵列可以克服单个器件输出的毫米波太赫兹源输出功率小的限制，更好的发挥纳米空气沟道光电二极管响应度大、带宽大的优势，也可以用作毫米波太赫兹的外差探测成像，还可用于光学焦平面成像。

本发明授权一种纳米空气沟道光电二极管阵列在权利要求书中公布了：1.一种纳米空气沟道光电二极管阵列，其特征在于，所述阵列包括三层结构，第一层为透明衬底和位于其上的多个纳米空气沟道光电二极管，纳米空气沟道光电二极管是光电转换元件，用于处理输入信号，第二层是用来进行电互联的多个垂直互联金属柱，第三层是介质基板和位于其上的电路，所述电路包括直流-交流隔置电路、射频电路、天线阵列、信号读出电路； 纳米空气沟道光电二极管阵列整体采用垂直结构，第一层包括透明衬底和多个纳米空气沟道光电二极管，在所述衬底之上设有光阴极，在所述光阴极之上设有纳米介质层，在所述纳米介质层之上设有阳极，在所述光阴极与阳极之间的纳米介质层边缘外设有纳米空气沟道，纳米空气沟道的长度由纳米介质层决定；第二层设置多个垂直互联金属柱，垂直互联金属柱与阳极和光阴极连接在一起，并作为所述介质基板的支撑；第三层设置介质基板、直流偏置线、辐射接收天线、中频输出电路、信号读出电路、处理电路，用于满足毫米波太赫兹输出及探测成像的需要； 所述纳米空气沟道光电二极管阵列采用阵列结构时，所述多个垂直互联金属柱和多个所述辐射天线，使单个纳米空气沟道光电二极管产生的光响应进行合成，使光电流、响应度、太赫兹输出功率以及光到太赫兹转换效率成倍的增加； 当所述阵列作为光混频器产生毫米波太赫兹源时，光阴极在两束入射光的激发下实现混频，发射出光电子，光电子进入纳米空气沟道中并在电场下做无散射的高速弹道输运后被阳极接收，从而产生高频光电流，且该光电流的频率受两束入射光调控，高频光电流经垂直互联金属柱传输到垂直结构上的直流-交流隔置电路和辐射天线中，进而辐射出毫米波太赫兹波。

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