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龙图腾网获悉华南师范大学;松山湖材料实验室申请的专利基于多区域栅单沟道微腔晶体管、光电全逻辑门器件、控制方法及电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118738121B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410449420.1，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权基于多区域栅单沟道微腔晶体管、光电全逻辑门器件、控制方法及电路是由陈洪宇;王天生;梁会力;梅增霞设计研发完成，并于2024-04-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于多区域栅单沟道微腔晶体管、光电全逻辑门器件、控制方法及电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于多区域栅单沟道微腔晶体管、光电全逻辑门器件、控制方法及电路，该全逻辑门器件包括堆叠设置的衬底、第一底栅电极和第二底栅电极、底栅介质层、沟道层、源电极和漏电极、顶栅介质层、顶栅电极，还包括第一激光和第二激光。第一底栅电极和第二底栅电极、底栅介质层、沟道层、源电极和漏电极构成NOR逻辑门；第二底栅电极、底栅介质层、沟道层、源电极和漏电极、顶栅介质层、顶栅电极构成NAND逻辑门；衬底、沟道层、源电极和漏电极以及第一激光和第二激光构成XOR逻辑门；本发明能够在单一晶体管器件中实现线性NAND与NOR和非线性XOR的三种逻辑功能，减少晶体管消耗和电路面积。

本发明授权基于多区域栅单沟道微腔晶体管、光电全逻辑门器件、控制方法及电路在权利要求书中公布了：1.一种多区域栅单沟道微腔晶体管，其特征在于：包括堆叠设置的衬底、底栅电极层、底栅介质层、沟道层、源电极和漏电极、顶栅介质层、顶栅电极； 底栅电极层设置于所述衬底上，底栅电极层包含第一底栅电极和第二底栅电极，第一底栅电极包含第一子底栅电极和第二子底栅电极，第二底栅电极设置于第一子底栅电极和第二子底栅电极之间； 底栅介质层设置于所述底栅电极上，底栅介质层与所述第一子底栅电极、第二底栅电极及衬底之间形成第一空腔结构，底栅介质层与所述第二子底栅电极、第二底栅电极及衬底之间形成第二空腔结构； 沟道层设置于所述底栅介质层上；源电极和漏电极设置于所述沟道层上； 顶栅介质层设置于所述源电极、漏电极和所述沟道层上； 顶栅电极设置于所述顶栅介质层上； 其中，所述沟道层为p型二维材料，且该p型二维材料对于第一波长的激光，在不同光功率该激光的照射下呈现出正光电导效应和负光电导效应； 第一底栅电极和第二底栅电极分别施加电压为-3V和3V时，漏极电流的电流状态满足 顶栅电极和第二底栅电极分别施加电压为-3V和3V时，漏极电流的电流状态满足 分别采用所述第一波长的激光和第二波长的激光照射所述第一、第二空腔结构区域和与所述第一、第二空腔结构区域在垂直方向上重叠的沟道层区域时，漏极电流变化量的电流状态满足第二波长不同于所述第一波长。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华南师范大学;松山湖材料实验室，其通讯地址为：510635 广东省广州市天河区中山大道西55号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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