福建火炬电子科技股份有限公司喻巧获国家专利权
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龙图腾网获悉福建火炬电子科技股份有限公司申请的专利一种组合介质高压多层瓷介电容器及其制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118824737B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411203890.6，技术领域涉及：H01G4/30；该发明授权一种组合介质高压多层瓷介电容器及其制备工艺是由喻巧;廖永郁;谢艺兰;洪志超;周永昌;罗培福;熊月龙;陈永虹;宋运雄;林志盛;张子山设计研发完成，并于2024-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种组合介质高压多层瓷介电容器及其制备工艺在说明书摘要公布了：一种组合介质高压多层瓷介电容器及其制备工艺，多层瓷介电容器由多个组合介电层相互叠加烧制而成，组合介电层内部按介电层B、介质层A、介电层B的顺序叠加形成BAB结构，介电层B包括介质层B和印刷在介质层B上的电极；介质层A包括以下原料：钛酸钡基体A和液态改性掺杂剂A；液态改性掺杂剂A包括以下原料：氧化镁、四氧化三锰、稀土氧化物a、稀土氧化物b、碳酸钡、二氧化锆、SLV材料；通过本发明限定的陶瓷材料制备的瓷介电容器，具有高介电常数≥4500，平稳的介温特性曲线符合X7R要求，较低的损耗≤3.0％，高绝缘电阻RC@25℃≥5000MΩ·μF，高耐电压＞150Vμm等优异性能。
本发明授权一种组合介质高压多层瓷介电容器及其制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种组合介质高压多层瓷介电容器，其特征在于：由多个组合介电层相互叠加烧制而成，所述组合介电层内部按介电层B、介质层A、介电层B的顺序叠加形成BAB结构，所述介电层B包括介质层B和印刷在介质层B上的电极； 介质层A，包括以下重量份的原料：100份的钛酸钡基体A、1.409-6.315份的液态改性掺杂剂A； 液态改性掺杂剂A，由氧化镁、四氧化三锰、稀土氧化物a、稀土氧化物b、碳酸钡、二氧化锆、SLV材料按重量比0.086-0.259:0.069-0.128：0.320-1.620：0.484-2.535：0.085-0.423：0.158-0.317：0.13-1.34的比例组成； SLV材料由二氧化硅、碳酸锂、五氧化二钒按摩尔比2.00：1.00：0.50合成。
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