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龙图腾网获悉上海申矽凌微电子科技股份有限公司申请的专利自适应环境光补偿电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118963477B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411168282.6，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权自适应环境光补偿电路是由薛腾飞;施明;杨振宇设计研发完成，并于2024-08-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本自适应环境光补偿电路在说明书摘要公布了：本发明提供了一种自适应环境光补偿电路，针对光电测量系统中环境光干扰问题，通过集成模拟电路实现高精度环境光补偿。该电路采用PMOS、NMOS晶体管及多种放大器、电阻、电容和开关元件，构建了一种能够自适应调节并消除环境光电流影响的系统。与现有技术相比，本发明利用自适应电流沉和复制电流技术，有效扩大了环境光补偿范围，达到0～5mA，同时减小了电路面积，提升了集成度。此外，通过优化滤波电容和电阻的设计，进一步缩短了稳定时间，并避免了滤波带宽与建立时间之间的折衷问题。本发明的自适应环境光补偿电路在光电测量系统中具有广泛的应用前景，可显著提高测量动态范围和准确性。

本发明授权自适应环境光补偿电路在权利要求书中公布了：1.一种自适应环境光补偿电路，其特征在于，包括：第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第五PMOS管MP5、第六PMOS管MP6和第七PMOS管MP7； 所述第一PMOS管MP1的源极连接有第二PMOS管MP2的源极、滤波电容C、第三PMOS管MP3的源极和NMOS管MN1的漏极；所述第一PMOS管MP1的漏极连接有电阻R1和第四PMOS管MP4的源极；所述第一PMOS管MP1的栅极连接有电阻R2和电阻R1； 所述第二PMOS管MP2的源极连接有滤波电容C、第三PMOS管MP3的源极和NMOS管MN1的漏极；所述第二PMOS管MP2的漏极连接有开关S1和开关S4；所述第二PMOS管MP2的栅极与电阻R2的另一端相连接； 所述第三PMOS管MP3的源极连接有滤波电容C和NMOS管MN1的漏极；所述第三PMOS管MP3的漏极连接有开关S2和开关S3；所述第三PMOS管MP3的栅极连接有开关S5和滤波电容C的另一端； 所述第四PMOS管MP4的源极与电阻R1和电阻R2相连接；所述第四PMOS管MP4的漏极连接有第七PMOS管MP7漏极、电流源Is1和电流源Is2；所述第四PMOS管MP4的栅极连接有第五PMOS管MP5的漏极和电流源Is1的另一端； 所述第五PMOS管MP5的源极连接有开关S2、开关S4、开关S6和光电二极管PD的负极；所述第五PMOS管MP5的漏极与电流源Is1的另一端相连接，所述第五PMOS管MP5的栅极连接有第六PMOS管MP6的栅极和电流源Is2的另一端； 所述第六PMOS管MP6的源极连接有NMOS管MN1的源极和放大器AMP2的反相输入端；所述第六PMOS管MP6的漏极和栅极与电流源Is2的另一端相连接； 所述第七PMOS管MP7的源极连接有放大器AMP1的反相输入端、开关S1和开关S3；所述第七PMOS管MP7的漏极连接有电流源Is1和电流源Is2；所述第七PMOS管MP7的栅极与放大器AMP1的输出端相连接。

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