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龙图腾网获悉北京大学申请的专利一种基于1T2R忆阻器阵列的动态图处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119007775B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411006856.X，技术领域涉及：G11C13/00；该发明授权一种基于1T2R忆阻器阵列的动态图处理方法是由杨玉超;岳文硕;燕博南设计研发完成，并于2024-07-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于1T2R忆阻器阵列的动态图处理方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于1T2R忆阻器阵列的动态图处理方法，属于存内计算和图计算技术领域。本发明在由1T2R单元组成的忆阻器阵列上存储图的邻接矩阵，将节点的状态存储于i，i位置的1T2R单元中，边的信息存储于i，j位置的1T2R单元，代表节点i到节点j之间的连接关系；将对图的节点和边的操作映射为对1T2R忆阻器阵列中相应单元的操作，高效地进行动态图存储与动态图处理。本发明通过阵列操作方式，有效降低了动态图处理过程的时间复杂度，可以在O1时间复杂度下实现节点增加、节点删除、边增加、边删除，有效提升了动态图处理的计算速度，并在动态图数据的存储上实现更高的存储密度。

本发明授权一种基于1T2R忆阻器阵列的动态图处理方法在权利要求书中公布了：1.一种基于1T2R忆阻器阵列的动态图处理方法，将动态图以及动态图的处理操作针对性映射至1T2R忆阻器阵列以及1T2R忆阻器阵列的编程操作，其中，所述1T2R忆阻器阵列包含M×M个1T2R忆阻器单元，每个1T2R忆阻器单元和四条线BLL、WL、BLR与SL相连，其中，BLL与WL平行，BLR与SL平行，两组平行线相互垂直；所述1T2R忆阻器单元由一个晶体管与2个忆阻器L-RRAM和R-RRAM组成，L-RRAM和R-RRAM的一端共同连接至晶体管的漏端，L-RRAM的另一端与BLL相连，R-RRAM的另一端与BLR相连；晶体管的栅极与WL相连；晶体管的源极与SL相连；所述1T2R忆阻器阵列共有M条WL、M条BLL、M条BLR与M条SL；一行中的1T2R忆阻器单元共用同一条BLL与同一条WL，一列中的1T2R忆阻器单元共用同一条BLR与同一条SL； 对于具有M个节点的动态图，图的邻接矩阵A使用一个M×M的方阵存储整个图，在该方阵中，坐标为i，j的元素Aij存储节点i到节点j之间的连接关系即节点i与j之间的边，坐标为i，i的元素Aii存储节点i本身的信息；将动态图的邻接矩阵A映射至所述1T2R忆阻器阵列，对图的节点的操作映射为对1T2R忆阻器阵列中坐标为i，i单元的操作，对图的边的操作映射为对1T2R忆阻器阵列中坐标为i，j单元的操作，其中， i与j为0至M-1的整数，且i≠j。

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