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龙图腾网获悉浙江芯科半导体有限公司申请的专利双掺杂提高碳化硅外延片掺杂浓度均匀性的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119028807B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411129532.5，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权双掺杂提高碳化硅外延片掺杂浓度均匀性的方法是由李京波;王小周;韩理想;张梦龙;李梅溶;汤赛君;赖群宏设计研发完成，并于2024-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本双掺杂提高碳化硅外延片掺杂浓度均匀性的方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种双掺杂提高碳化硅外延片掺杂浓度均匀性的方法，属于半导体领域，使用N2和NH3双掺杂进行外延，综合了单掺杂N2导致的U型浓度分布和单掺杂NH3导致的A型浓度分布，使用N2+NH3双掺杂的方案，可以将碳化硅片内浓度分布拉平，形成直线分布，进而彻底改善掺杂浓度均匀性，均匀性可以控制在2％。此外，炉间浓度飘移非常小，无需实时调控外延工艺配方，来保证浓度平均值和均匀性在要求的范围。本申请具有节约成本、提高生产效率、保证高质量的外延均匀性和适合大批量外延生产等优点。

本发明授权双掺杂提高碳化硅外延片掺杂浓度均匀性的方法在权利要求书中公布了：1.一种双掺杂提高碳化硅外延片掺杂浓度均匀性的方法，其特征在于，包括以下步骤： 使用单一N2掺杂外延，N2流量为Asccm，测得碳化硅片上选定的x个坐标点位上的N2掺杂浓度Bi，得到各坐标点位的N2掺杂效率Ci，Ci＝BiA； 使用单一NH3掺杂外延，NH3流量为Dsccm，测得碳化硅片上选定的x个坐标点位上的NH3掺杂浓度Ei，得到各坐标点位的NH3掺杂效率Fi，Fi＝EiD； 计算N2和NH3双掺杂时N2和NH3的流量：掺杂浓度目标值设为G，掺杂浓度容差设为M，N2流量设为Isccm，NH3流量设为Jsccm，此时碳化硅片上选定的x个坐标点位上N2和NH3双掺杂浓度为Ki，Ki＝Ci*I+Fi*J，由碳化硅片上x个不同坐标点位的N2和NH3双掺杂浓度得到N2和NH3双掺杂浓度平均值L，由碳化硅片上不同坐标点位的N2和NH3双掺杂浓度最大值MaxKi、N2和NH3双掺杂浓度最小值MinKi和N2和NH3双掺杂浓度平均值L，得到掺杂浓度容差M，通过设定两个约束条件，求解优化得到N2流量I的具体数值和NH3流量J的具体数值，其中一个约束条件为L达到掺杂浓度目标值G，另一个约束条件为掺杂浓度容差M取最小值； 使用N2和NH3双掺杂进行外延，其中N2流量为Isccm，NH3流量为Jsccm，测得碳化硅片上x个不同坐标点位N2和NH3双掺杂浓度，得到实际的掺杂浓度平均值L’和实际的掺杂浓度容差M’，判断实际掺杂浓度平均值L’与掺杂浓度目标值G的偏差率是否小于第一设定值，实际掺杂浓度容差M’是否小于第二设定值，如果实际掺杂浓度平均值L’与掺杂浓度目标值G的偏差率小于第一设定值且实际掺杂浓度容差M’小于第二设定值，则可以重复进行连续化生产，反之通过浓度修正因子N对N2流量和NH3流量进行调整，由公式G＝N*L’得到浓度修正因子N的具体数值，将N2流量调整为N*Isccm，将NH3流量调整为N*Jsccm。

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