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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种具有空穴扩展与注入层的氮化镓基半导体激光元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119093155B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410983605.0，技术领域涉及：H01S5/34；该发明授权一种具有空穴扩展与注入层的氮化镓基半导体激光元件是由阚宏柱;郑锦坚;寻飞林;蓝家彬;李晓琴;张江勇;蔡鑫;陈婉君;胡志勇;李水清设计研发完成，并于2024-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有空穴扩展与注入层的氮化镓基半导体激光元件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有空穴扩展与注入层的氮化镓基半导体激光元件，从下至上依次包括衬底、下包覆层、下波层，量子阱、上波导层、上包覆层，所述上波导层与上包覆层之间具有空穴扩展与注入层；所述空穴扩展与注入层的峰值速率电场的峰值位置往上包覆层方向的下降角度为α，所述空穴扩展与注入层的峰值速率电场的峰值位置往量子阱方向的下降角度为β，所述上包覆层的峰值速率电场的峰值位置往量子阱方向的下降角度为γ，其中：30°≤γ≤β≤α≤90°。本发明提升空穴注入效率与阻挡电子溢流的双重功能，降低激光器的阈值电流，提升激光器的斜率效率和限制因子。

本发明授权一种具有空穴扩展与注入层的氮化镓基半导体激光元件在权利要求书中公布了：1.一种具有空穴扩展与注入层的氮化镓基半导体激光元件，从下至上依次包括衬底100、下包覆层101、下波层102、量子阱103、上波导层104、上包覆层105，其特征在于，所述上波导层104与上包覆层105之间具有空穴扩展与注入层106； 所述空穴扩展与注入层106的峰值速率电场的峰值位置往上包覆层105方向的下降角度为α，所述空穴扩展与注入层106的峰值速率电场的峰值位置往量子阱103方向的下降角度为β，所述上包覆层105的峰值速率电场的峰值位置往量子阱103方向的下降角度为γ，其中：30°≤γ≤β≤α≤90°； 所述空穴扩展与注入层106的辐射复合系数的谷值位置往上包覆层105方向的上升角度为θ，所述空穴扩展与注入层106的辐射复合系数的谷值位置往量子阱103方向的上升角度为δ，所述上包覆层105的辐射复合系数的谷值位置往量子阱103方向的上升角度为σ，其中：25°≤σ≤δ≤θ≤90°； 所述空穴扩展与注入层106的分离能的峰值位置往上包覆层方向的下降角度为φ，所述空穴扩展与注入层106的分离能的峰值位置往量子阱103方向的下降角度为ψ，所述上包覆层105的分离能的峰值位置往量子阱103方向的下降角度为μ，其中：10°≤μ≤ψ≤φ≤90°； 所述空穴扩展与注入层106的密度的谷值位置往上包覆层105方向的上升角度为υ，所述空穴扩展与注入层106的密度的谷值位置往量子阱103方向的上升角度为ρ，所述上包覆层105的密度的谷值位置往量子阱103方向的上升角度为ω，其中：20°≤ω≤ρ≤υ≤90°。

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