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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利基于谐振辅助换流技术的高精度功率放大器及参数设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119093731B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411191151.X，技术领域涉及：H02M3/07；该发明授权基于谐振辅助换流技术的高精度功率放大器及参数设计方法是由王明义;崔思航;叶佳兴;毕萌翠;张成明;李立毅设计研发完成，并于2024-08-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于谐振辅助换流技术的高精度功率放大器及参数设计方法在说明书摘要公布了：一种基于谐振辅助换流技术的高精度功率放大器及参数设计方法，属于功率放大器技术领域。本发明针对现有PWM调制的开关功放，存在电流过零畸变和死区效应的问题而提出。功率放大器包括电容C1、电容C2、四个MOSFET开关管S1、S2、S3、S4、辅助电感Ld1、辅助电感Ld2、滤波电感Lo和滤波电容Co，开关管S1、S2、S3、S4形成两个桥臂与电容C1和电容C2形成的支路并联；在两个桥臂之间串联辅助电感Ld1和辅助电感Ld2；将辅助电感Ld1和辅助电感Ld2之间的连接点作为C点，在C点与电容C1和电容C2的连接点之间依次串联滤波电感Lo和滤波电容Co；负载R与滤波电容Co并联。本发明可实现功率放大器全负载范围软开关。

本发明授权基于谐振辅助换流技术的高精度功率放大器及参数设计方法在权利要求书中公布了：1.一种基于谐振辅助换流技术的高精度功率放大器的参数设计方法，所述基于谐振辅助换流技术的高精度功率放大器包括电容C1、电容C2、四个MOSFET开关管S1、S2、S3、S4、辅助电感Ld1、辅助电感Ld2、滤波电感Lo和滤波电容Co， 电源正极与电源负极之间串联电容C1和电容C2； 电源正极连接开关管S1的漏极，开关管S1的源极连接开关管S2的漏极，开关管S2的源极连接电源负极；电源正极同时连接开关管S3的漏极，开关管S3的源极连接开关管S4的漏极，开关管S4的源极连接电源负极； 将开关管S1源极与开关管S2漏极之间的连接点作为A点，将开关管S3源极与开关管S4漏极之间的连接点作为B点，在A点与B点之间串联辅助电感Ld1和辅助电感Ld2；将辅助电感Ld1和辅助电感Ld2之间的连接点作为C点，在C点与电容C1和电容C2的连接点之间依次串联滤波电感Lo和滤波电容Co；负载R与滤波电容Co并联； 对两个半桥桥臂使用SPWM调制，使两个半桥桥臂交错并联运行形成差模电流，并使辅助电感Ld1、辅助电感Ld2与四个MOSFET开关管S1至S4的结电容发生谐振，实现连续电流模式下的零电压开关； 其特征在于，对基于谐振辅助换流技术的高精度功率放大器进行参数设计包括： 对于由滤波电感Lo和滤波电容Co组成的滤波器，滤波电感Lo和滤波电容Co需满足： 2π·fo,max·Lo,eff·Io≤kv·Uo， 2π·fo,max·Co·Uo≤ki·Io， 式中Lo,eff为滤波电感Lo的等效值，kf为截止频率系数，fo,max为功放实际输出频率最大值；Io为输出电流有效值，kv为最大电感压降系数，Uo为输出电压有效值，ki为最大电容分流系数。

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