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龙图腾网获悉广东先导元创精密科技有限公司申请的专利等离子源簇以及PECVD设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119108257B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411199628.9，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权等离子源簇以及PECVD设备是由宋新国;岑福达;罗雁燊;任晓东设计研发完成，并于2024-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本等离子源簇以及PECVD设备在说明书摘要公布了：提供一种等离子源簇以及PECVD设备。等离子源簇包括多个等离子源及安装座；各等离子源包括上盖、绝缘壳体、绝缘介质柱体、电容电极片、及电感线圈；上盖密封固定在绝缘壳体上，上盖具有进气道，进气道供镀膜气体和清洁气体共用；绝缘壳体具有中空腔；绝缘介质柱体占据中空腔的靠近上盖的位置以使中空腔的位于绝缘介质柱体背离上盖的部分为保持空的未被占据的整体腔部，绝缘介质柱体具有多个通孔，各通孔连通于进气道和整体腔部；电容电极片设置于绝缘介质柱体以在各通孔处形成电容；电感线圈缠绕在绝缘壳体的外部且对应整体腔部；安装座具有内腔、多个上开口和一个下开口；各等离子源的绝缘壳体安装于一个对应的上开口，下开口用于连通于工艺腔体。

本发明授权等离子源簇以及PECVD设备在权利要求书中公布了：1.一种等离子源簇，其特征在于 等离子源簇1000包括多个彼此间隔开的等离子源100以及安装座200； 各等离子源100包括上盖1、绝缘壳体2、绝缘介质柱体3、电容电极片4、以及电感线圈5； 上盖1密封固定在绝缘壳体2上，上盖1具有轴向D贯通的进气道11，进气道11用于通入沉积镀膜气体或清洁气体的工艺气体且供镀膜气体和清洁气体共用； 绝缘壳体2具有中空腔21； 绝缘介质柱体3占据绝缘壳体2的中空腔21的靠近上盖1的位置以使绝缘壳体2的中空腔21的位于绝缘介质柱体3背离上盖1的部分为保持空的未被占据的整体腔部211，绝缘介质柱体3具有彼此间隔开的沿轴向D贯通的多个通孔31，各通孔31连通于进气道11和整体腔部211； 电容电极片4设置于绝缘介质柱体3以使电容电极片4与各通孔31处的绝缘介质柱体3一起在各通孔31处形成电容，所述电容用于使得经由进气道11进入的工艺气体在各通孔31形成的电容中产生电容耦合等离子体、电容耦合等离子体排出到整体腔部211； 电感线圈5缠绕在绝缘壳体2的外部且在位置上对应绝缘壳体2的中空腔21的整体腔部211，电感线圈5用于使从多个通孔31排出到整体腔部211中的电容耦合等离子体进行电感耦合； 安装座200具有内腔200a、位于顶部的多个间隔开的上开口200b和位于底部的一个下开口200c； 各等离子源100的绝缘壳体2安装于一个对应的上开口200b，各等离子源100的绝缘壳体2的整体腔部211连通安装座200的内腔200a； 安装座200的下开口200c用于连通于工艺腔体2000的内空间2001，工艺腔体2000用于经由安装座200接收等离子源簇1000的多个等离子源100供给的等离子以进行PECVD沉积镀膜或者进行工艺腔体2000所镀的膜层的清洗和或载板B上所镀的膜层的清洗。

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