中芯国际集成电路制造(上海)有限公司柏耸获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利套刻误差的量测方法及系统、设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119148470B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310710818.1，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权套刻误差的量测方法及系统、设备及存储介质是由柏耸;张高颖;何弦;蒋运涛;杨祎设计研发完成，并于2023-06-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本套刻误差的量测方法及系统、设备及存储介质在说明书摘要公布了：一种套刻误差的量测方法及系统、设备及存储介质，方法包括：提供前层结构、以及位于前层结构上的当层结构，前层结构包括多个第二对准图形，当层结构包括与第二对准图形对应的多个量测区；设置当层图形的量测间隔；在当层每个量测区中，获取以量测间隔平行排列的多个量测图形，包括第一对准图形、以及位于第一对准图形两侧的其他量测图形；以每个量测图形为量测位置，获取量测图形与前层的第二对准图形的第一对准信号；根据多个第一对准信号获取量测图形中处于中心位置的量测图形的位置信息；根据位置信息获取第一对准图形与前层的第二对准图形的套刻误差。本发明有利于提高套刻误差量测的准确性，且量测成本较低。
本发明授权套刻误差的量测方法及系统、设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种套刻误差的量测方法，其特征在于，包括： 提供前层结构、以及位于所述前层结构上的当层结构，所述前层结构包括多个第二对准图形，所述当层结构包括与所述第二对准图形对应的多个量测区； 设置当层图形的量测间隔； 在当层每个量测区中，获取以所述量测间隔平行排列的多个量测图形，包括第一对准图形、以及位于所述第一对准图形两侧的其他量测图形； 以每个所述量测图形为量测位置，获取所述量测图形与前层的第二对准图形的第一对准信号； 根据多个所述第一对准信号获取所述量测图形中处于中心位置的量测图形的位置信息； 根据所述位置信息获取所述第一对准图形与前层的第二对准图形的套刻误差。
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