南京大学李张南获国家专利权
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龙图腾网获悉南京大学申请的专利一种基于复合介质栅三晶体管存储器的刷新电路及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119181401B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411270889.5，技术领域涉及：G11C11/406；该发明授权一种基于复合介质栅三晶体管存储器的刷新电路及方法是由李张南;陶婷婷;王凯;沈凡翔;宋年华;江成扬;何展;梁佳宝设计研发完成，并于2024-09-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于复合介质栅三晶体管存储器的刷新电路及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于复合介质栅三晶体管存储器的刷新电路及方法。该刷新电路包括采样开关、复位电路、带正反馈回路的反相器链、输出开关和延时器；存储器的读出端通过采样开关与反相器链的输入端相连；复位电路位于采样开关和反相器链之间，并与反相器链的输入端相连；反相器链输出端通过输出开关与存储器的写入端相连；延时器的输出端分别与反相器链和输出开关相连。本发明的刷新电路利用存储器原有的读出和写入结构，完成刷新过程中的“感应存储值”和“重写入”操作，避免了额外的面积开销。
本发明授权一种基于复合介质栅三晶体管存储器的刷新电路及方法在权利要求书中公布了：1.一种基于复合介质栅三晶体管存储器的刷新电路，与复合介质栅三晶体管存储器相连，其特征在于，所述复合介质栅三晶体管存储器包括电子写入管、电子读出管和三个串联电容；所述复合介质栅三晶体管存储器的写入端为电子写入管的写入源端，所述复合介质栅三晶体管存储器的读出端即为电子读出管的读出漏端；所述刷新电路包括采样开关S1、复位电路、带正反馈回路的反相器链、输出开关S2和延时器，所述带正反馈回路的反相器链用于将采样值锁存、增强并输出；所述复合介质栅三晶体管存储器的读出端通过采样开关S1与带正反馈回路的反相器链的输入端相连；所述复位电路位于采样开关S1和带正反馈回路的反相器链之间，并与带正反馈回路的反相器链的输入端相连；所述带正反馈回路的反相器链输出端通过输出开关S2与复合介质栅三晶体管存储器的写入端相连；所述延时器的输出端与带正反馈回路的反相器链和输出开关S2相连。
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