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龙图腾网获悉福州大学申请的专利一种基于垂直堆叠1T1M的MRAM存储装置及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119212397B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411332684.5，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权一种基于垂直堆叠1T1M的MRAM存储装置及其制备方法是由李调阳;刘彦亨;赵亚鹏;王志杰;吴燕庆设计研发完成，并于2024-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于垂直堆叠1T1M的MRAM存储装置及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提出一种基于垂直堆叠1T1M的MRAM存储装置及其制备方法。装置由场效应晶体管FET在磁隧道结MTJ上垂直堆叠构成；所述磁隧道结由SiSiO2衬底上生长的多层堆叠磁性材料组成，自下而上各层顺序分别为底电极、钉扎层、参考层、势垒层、自由层、顶电极，外部由第一钝化层包围；所述场效应晶体管为采用环绕沟道CAA构型的垂直沟道FET，从下到上由第一金属层、隔离层、第二金属层垂直堆叠；所述场效应晶体管第一金属层与磁隧道结顶电极通过互连层连接，构成1T1M上下堆叠的垂直结构存储装置，可有效提升MRAM存储密度。

本发明授权一种基于垂直堆叠1T1M的MRAM存储装置及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于垂直堆叠1T1M的MRAM存储装置，其特征在于，包括由磁隧道结MTJ和场效应晶体管上下堆叠形成的垂直结构，所述磁隧道结MTJ由SiSiO2衬底上生长的多层堆叠磁性材料组成，自下而上各层顺序分别为底电极2、钉扎层3、参考层4、势垒层5、自由层6以及顶电极8，所述磁隧道结MTJ的外部由第一钝化层7包围；所述场效应晶体管为环绕沟道CAA构型的垂直沟道FET； 所述场效应晶体管在所述磁隧道结MTJ上方制备，所述场效应晶体管包括：堆叠结构，所述堆叠结构包括第一金属层10、第二钝化层11以及第二金属层12； 所述堆叠结构中设置刻蚀有凹槽，所述凹槽穿过所述第一金属层10、第二钝化层11以及第二金属层12，且该凹槽部分穿过第一金属层10，该凹槽内设置有沟道层13、栅介质层14、栅电极层15；沟道层13分别与第一金属层10和第二金属层12形成源漏接触，该第一金属层10与该第二金属层12中的一个为源极，另一个为漏极；该沟道层13分别与该第一金属层10和该第二金属层12接触，该栅介质层14设置在半导体沟道层13和该栅电极层15之间。

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