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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利一种半导体器件及其制造方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119233625B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310778880.4，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体器件及其制造方法、电子设备是由刘晓萌;王祥升;王桂磊;赵超;宋艳鹏;王海玲设计研发完成，并于2023-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件及其制造方法、电子设备在说明书摘要公布了：一种半导体器件，包括：多个晶体管，分布于不同层沿着垂直衬底方向堆叠；字线，贯穿所述不同层沿着垂直衬底方向延伸；沿着垂直衬底的方向从下至上依次交替分布的第一绝缘层和第一导电层；贯穿每个所述第一绝缘层和每个所述第一导电层的通孔，所述字线设置在所述通孔内，所述通孔位于所述第一导电层的第二子孔在所述衬底的正投影位于所述通孔位于所述第一绝缘层的第一子孔在所述衬底的正投影内；所述晶体管包括环绕所述字线侧壁的半导体层；所述多个晶体管的多个半导体层间隔设置。本实施例提供的方案，去除层间的半导体层，消除了寄生晶体管，减小了漏电流。

本发明授权一种半导体器件及其制造方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 多个晶体管，分布于不同层沿着垂直衬底方向堆叠； 字线，贯穿所述不同层沿着垂直衬底方向延伸； 沿着垂直衬底的方向从下至上依次交替分布的第一绝缘层和第一导电层；贯穿每个所述第一绝缘层和每个所述第一导电层的通孔，所述字线设置在所述通孔内，所述通孔位于所述第一导电层的第二子孔在所述衬底的正投影落入所述通孔位于所述第一绝缘层的第一子孔在所述衬底的正投影内； 所述晶体管包括第一电极、第二电极和环绕所述字线侧壁的半导体层；所述第一电极和所述第二电极设置在所述第一导电层； 所述多个晶体管的多个半导体层间隔设置，所述多个半导体层分布在所述字线侧壁的不同区域； 所述通孔中从内到外依次分布有所述字线、环绕所述字线侧壁的栅极绝缘层、环绕所述栅极绝缘层侧壁不同区域的所述多个半导体层； 所述通孔的侧壁包括位于第一子孔的第一侧壁与所述第一侧壁连接的位于所述第二子孔的第二侧壁，所述第一侧壁形成相对于所述第二侧壁的凹槽，且该凹槽包括沿垂直于衬底方向延伸的子侧壁，所述半导体层在所述第二侧壁上连续延伸且从所述第二侧壁连续延伸至所述凹槽的沿垂直于衬底方向延伸的子侧壁，且不分布在所述子侧壁上使得所述多个半导体层在所述子侧壁断开。

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