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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利半导体器件及其制备方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119233631B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310805082.6，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件及其制备方法、电子设备是由艾学正;王祥升;王桂磊;赵超;桂文华设计研发完成，并于2023-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制备方法、电子设备在说明书摘要公布了：一种半导体器件的制备方法，包括：在衬底依次交替沉积第一绝缘薄膜和第二绝缘薄膜，形成叠层结构；对叠层结构进行刻蚀，形成在垂直衬底方向贯穿叠层结构的第一通孔；形成填满第一通孔的牺牲层；刻蚀去除第二绝缘薄膜；沉积第一导电薄膜，形成多个晶体管的第一电极和第二电极，且晶体管的第一电极和第二电极由牺牲层隔开；刻蚀第一通孔内的部分牺牲层，形成在垂直于衬底方向上贯穿牺牲层的第二通孔；在第二通孔内依次形成多个晶体管的半导体层、栅绝缘线层和字线；刻蚀第二通孔外围的牺牲层，暴露出位于相邻层的层间区域的半导体层的至少部分，刻蚀去除暴露的半导体层，使得相邻层的晶体管的半导体层间隔设置。

本发明授权半导体器件及其制备方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述半导体器件包括：沿着垂直于衬底方向堆叠且周期性分布在不同层的多个晶体管、贯穿所述不同层且沿着垂直于衬底方向延伸的字线；所述晶体管包括：第一电极、第二电极、沿着垂直于衬底方向延伸的栅电极、环绕所述栅电极侧壁并与所述栅电极绝缘设置的半导体层、设置在所述栅电极和所述半导体层之间的栅绝缘层； 所述半导体器件的制备方法包括： 提供衬底，在所述衬底上依次交替沉积第一绝缘薄膜和第二绝缘薄膜，形成叠层结构； 对所述叠层结构进行刻蚀，形成在垂直衬底方向贯穿所述叠层结构的第一通孔； 形成填满所述第一通孔的牺牲层； 刻蚀去除所述第二绝缘薄膜； 沉积第一导电薄膜，形成第一导电层，所述第一导电层至少包括：所述多个晶体管的第一电极和第二电极，所述晶体管的第一电极和第二电极由所述牺牲层隔开； 刻蚀所述第一通孔内的部分牺牲层，形成在垂直于衬底方向上贯穿所述牺牲层的第二通孔，所述第二通孔的侧壁暴露出所述晶体管的第一电极和第二电极，且在相邻层的层间区域的所述第二通孔的侧壁暴露出所述牺牲层； 在所述第二通孔内依次沉积半导体薄膜、栅绝缘薄膜和第三导电薄膜，形成所述多个晶体管的半导体层、栅绝缘层和第三导电层，所述第三导电层包括：所述字线和所述多个晶体管的栅电极，沿垂直于衬底方向设置的多个晶体管与同一条字线连接，所述多个晶体管中每个晶体管的栅电极为所述字线的一部分；所述晶体管的半导体层与所述晶体管的第一电极和第二电极接触； 刻蚀所述第二通孔外围的牺牲层，暴露出位于相邻层的层间区域的半导体层的至少部分，刻蚀去除暴露的半导体层，使得相邻层的晶体管的半导体层间隔设置。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京超弦存储器研究院，其通讯地址为：100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十街18号院11号楼四层401室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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