中国科学院半导体研究所宋国峰获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利一种实现超表面全息图的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119292023B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411791704.5，技术领域涉及：G03H1/08；该发明授权一种实现超表面全息图的方法是由宋国峰;葛紫慧;任慧设计研发完成，并于2024-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种实现超表面全息图的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种实现超表面全息图的方法，包括：预设三种纳米单元结构，其中三种纳米单元结构几何尺寸和几何形状均不相同，每种纳米单元结构均包括纳米砖；根据预设的目标近场图，将三种纳米单元结构在预设的衬底上进行阵列周期性排布；将处理后的目标远场全息图的相位信息编码至排布后的每种纳米单元结构的纳米砖旋转角度中，以完成超表面的构建；通过设置不同波长的偏振光入射至超表面，在超表面的远场区域实现彩色全息图。该方法以一种简单的编码方式使得同一超表面同时实现近场纳米压印和远场彩色全息，并且完全解耦，使得两通道无串扰。
本发明授权一种实现超表面全息图的方法在权利要求书中公布了：1.一种实现超表面全息图的方法，其特征在于，所述方法包括： 预设三种纳米单元结构，其中所述三种纳米单元结构几何尺寸和几何形状均不相同，每种所述纳米单元结构均包括纳米砖； 根据预设的目标近场图，将所述三种纳米单元结构在预设的衬底上进行阵列周期性排布； 将处理后的目标远场全息图的相位信息编码至排布后的每种所述纳米单元结构的纳米砖旋转角度中，以完成超表面的构建； 通过设置不同波长的偏振光入射至所述超表面，在所述超表面的远场区域实现彩色全息图。
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