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龙图腾网获悉陕西亚成微电子股份有限公司申请的专利功率半导体制备方法及功率半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119300390B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411371915.3，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权功率半导体制备方法及功率半导体结构是由苗东铭;杨世红;徐永年;李小红;李维;王章;杭朝阳设计研发完成，并于2024-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率半导体制备方法及功率半导体结构在说明书摘要公布了：本说明书实施例提供功率半导体制备方法及功率半导体结构，其中半导体制备方法包括：在硅衬底上淀积第一N型外延层，并在第一N型外延层上淀积第二N型外延层；刻蚀去除目标区域的第二N型外延层，并在第二N型外延层上和目标区域淀积第三N型外延层；对第一N型外延层、第二N型外延层和第三N型外延层进行刻蚀，形成沟槽；通过在终端区最外围沟槽外侧的上部和中部只设置中等掺杂浓度的外延层，使空间电荷区在最外围终端沟槽外侧得到扩散，降低此处的电场强度，提高终端结构耐压，在不通过增加分离栅沟槽MOSFET沟槽底部氧化层厚度来保证终端耐压的情况下，使原胞尺寸缩减，降低器件的导通电阻。

本发明授权功率半导体制备方法及功率半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体制备方法，其特征在于，包括： 在硅衬底上淀积第一N型外延层，并在所述第一N型外延层上淀积第二N型外延层；其中，所述第一N型外延层的掺杂浓度低于所述第二N型外延层的掺杂浓度； 刻蚀去除目标区域的所述第二N型外延层，并在所述第二N型外延层上和所述目标区域淀积第三N型外延层；其中，所述第三N型外延层的掺杂浓度高于所述第一N型外延层的掺杂浓度，且所述第三N型外延层的掺杂浓度小于所述第二N型外延层的掺杂浓度，所述目标区域为终端区； 对所述第一N型外延层、所述第二N型外延层和所述第三N型外延层进行刻蚀，形成沟槽；其中，所述沟槽包括有源区沟槽和终端区沟槽； 在所述沟槽内通过热生长和淀积形成底部氧化层，在所述底部氧化层表面淀积多晶硅，并对所述多晶硅进行蚀刻，形成多晶结构； 在所述有源区沟槽的所述多晶结构上形成中间氧化层，并在所述有源区沟槽的侧壁形成栅氧化层结构，在所述有源区沟槽中填充多晶硅，形成栅极多晶硅结构，以及在所述栅极多晶硅结构上形成屏蔽氧化层； 在所述第三N型外延层上进行离子注入形成基区，并对基区进行退火，在有源区沟槽和终端区沟槽之间形成注入屏蔽层；在所述第三N型外延层上进行离子注入形成源区，并对源区进行退火，在所述源区上形成介质氧化层，在所述介质氧化层上形成金属电极接触孔，对所述金属电极接触孔进行接触区注入并退火，以及在所述金属电极接触孔上形成源电极、栅电极和截止电极； 在所述源电极、栅电极和截止电极上形成钝化结构，以及在所述硅衬底下方形成漏电极。

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