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龙图腾网获悉陕西亚成微电子股份有限公司申请的专利一种MOSFET结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119300391B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411373313.1，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种MOSFET结构及其制造方法是由苗东铭;杨世红;徐永年;李小红;李维;王章;杭朝阳设计研发完成，并于2024-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MOSFET结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种MOSFET结构及制造该MOSFET结构的方法。该结构包括衬底；位于衬底上表面且由单层或多层外延层组成的漂移区；漂移区上设置有多个位于有源区的第一沟槽结构和多个位于终端区的第二沟槽结构，第二沟槽结构的侧壁为锯齿形；位于第一沟槽结构内的第一底部氧化层，以及位于第二沟槽结构内的第二底部氧化层；第一底部氧化层和第二底部氧化层均为凹槽结构，且第一底部氧化层的厚度小于第二底部氧化层的厚度。本发明通过在第二沟槽结构刻蚀时形成锯齿形侧壁，可在不增大第一底部氧化层的同时，增大第二底部氧化层厚度，保证终端结构耐压的同时，获得很小的原胞单元尺寸和更低导通电阻，提高源漏击穿电压。

本发明授权一种MOSFET结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种MOSFET结构，其特征在于，包括： 衬底1； 位于衬底1上表面且由单层或多层外延层组成的漂移区2；所述漂移区2上设置有多个位于有源区的第一沟槽结构31和多个位于终端区的第二沟槽结构32，所述第二沟槽结构32的侧壁为锯齿形； 位于第一沟槽结构31内的第一底部氧化层41，以及位于第二沟槽结构32内的第二底部氧化层42；所述第一底部氧化层41和第二底部氧化层42均为凹槽结构，且第一底部氧化层41的厚度小于第二底部氧化层42的厚度； 位于第一底部氧化层41凹槽结构内的有源区原胞多晶结构5，以及位于第二底部氧化层42凹槽结构内的终端区原胞多晶结构6； 位于有源区原胞多晶结构5上的中间氧化层7； 位于第一沟槽结构31处在中间氧化层7上方侧壁的栅氧化层8； 位于中间氧化层7上部以及栅氧化层8表面的栅极多晶结构9； 位于漂移区2、栅极多晶结构9和终端区原胞多晶结构6上侧的屏蔽氧化层10； 位于漂移区2与屏蔽氧化层10之间的基区11； 位于第一沟槽结构31外侧以及最外侧第二沟槽结构32外侧基区11上表面的源区12； 位于屏蔽氧化层10表面的介质氧化层； 位于介质氧化层上的源极电极13和栅极电极14；所述源极电极13穿过源区12与对应的基区11连接； 位于源极电极13和栅极电极14上的钝化结构15； 位于衬底1下表面的漏极电极16。

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