西安电子科技大学袁昊获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种向下拱桥式VDMOSFET器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119300420B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411359885.4，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种向下拱桥式VDMOSFET器件是由袁昊;王晨谕;宋庆文;汤晓燕;周瑜;杜丰羽设计研发完成，并于2024-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种向下拱桥式VDMOSFET器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种向下拱桥式VDMOSFET器件，所述向下拱桥式VDMOSFET器件具有通过刻蚀其半导体层所形成的对称的阶梯状凹槽；所述阶梯状凹槽的内壁及两侧覆盖一层第一栅介质；所述阶梯状凹槽内的第一栅介质之上还设有第二栅介质；所述第一栅介质和所述第二栅介质共同构成所述向下拱桥式VDMOSFET器件的加厚栅介质层；所述半导体层设有导流区和漂移区，所述导流区从所述阶梯状凹槽的表面向下延伸至所述漂移区。本发明在不降低器件的最小线宽的条件下，降低拱桥式VDMOSFET元胞尺寸，同时通过降低栅漏电容得到较好的动态特性；并且较深的P阱和较厚的栅介质层厚度保证器件的可靠性。
本发明授权一种向下拱桥式VDMOSFET器件在权利要求书中公布了：1.一种向下拱桥式VDMOSFET器件，其特征在于，所述向下拱桥式VDMOSFET器件具有通过刻蚀其半导体层所形成的对称的阶梯状凹槽；所述阶梯状凹槽的内壁及两侧覆盖一层第一栅介质；其中，所述阶梯状凹槽内的第一栅介质之上还设有第二栅介质；所述第一栅介质和所述第二栅介质共同构成所述向下拱桥式VDMOSFET器件的加厚栅介质层； 所述半导体层中设有导流区和漂移区，所述导流区从所述阶梯状凹槽的表面向下延伸至所述漂移区；所述阶梯状凹槽由下至上开槽宽度逐级增大； 栅电极横跨所述阶梯状凹槽并位于所述第二栅介质上表面和所述第二栅介质两侧的部分第一栅介质上表面； 所述导流区为N型，其具有沿阶梯状凹槽表面形成的阶梯状边缘； 位于所述导流区两侧的P阱，所述P阱的侧面与所述导流区的所述阶梯状边缘邻接； 所述第二栅介质填满所述阶梯状凹槽内的第一栅介质之外的剩余空间。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安电子科技大学，其通讯地址为：710071 陕西省西安市太白南路2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励