上海芯元基半导体科技有限公司郝茂盛获国家专利权
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龙图腾网获悉上海芯元基半导体科技有限公司申请的专利垂直堆叠的LED芯片结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119317260B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310859284.9，技术领域涉及：H10H20/813；该发明授权垂直堆叠的LED芯片结构及其制作方法是由郝茂盛;张楠;马艳红;艾进保设计研发完成，并于2023-07-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本垂直堆叠的LED芯片结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种垂直堆叠的LED芯片结构及其制作方法，包括：衬底，第一外延发光结构与第二外延发光结构，或仅包括第一外延发光结构；第三外延发光结构；第三外延发光结构内包括色转换层；其中，第三外延发光结构、第二外延发光结构以及第一外延发光结构，或第三外延发光结构与第一外延发光结构沿远离衬底的方向依次堆叠于衬底上；第一反射镜层，形成于衬底与色转换层之间，用于将第三外延发光结构发出的光，反射到垂直堆叠的LED芯片结构的出光面，该技术方案解决了垂直堆叠的LED芯片的出光率低的问题。
本发明授权垂直堆叠的LED芯片结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直堆叠的LED芯片结构，其特征在于，包括： 衬底； 第一外延发光结构与第二外延发光结构，或仅包括第一外延发光结构，所述第一外延发光结构及所述第二外延发光结构不包括色转换层； 第三外延发光结构；所述第三外延发光结构内包括色转换层；其中，所述第三外延发光结构、所述第二外延发光结构以及所述第一外延发光结构，或所述第三外延发光结构与所述第一外延发光结构沿远离所述衬底的方向依次堆叠于所述衬底上； 第一反射镜层，形成于所述衬底与所述色转换层之间，用于将所述第三外延发光结构发出的光，反射到所述垂直堆叠的LED芯片结构的出光面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海芯元基半导体科技有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祥科路111号3号楼507-2室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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