南京大学何程获国家专利权
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龙图腾网获悉南京大学申请的专利三维轴子绝缘体、多端口隔离器及其设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119340044B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411650072.0，技术领域涉及：H01B17/56；该发明授权三维轴子绝缘体、多端口隔离器及其设计方法是由何程;孙泽群;周严琛;赖华山;陈延峰设计研发完成，并于2024-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维轴子绝缘体、多端口隔离器及其设计方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于旋磁光子晶体构建的三维轴子绝缘体，包括交替堆叠的A层和B层光子晶体，以及层间耦合层，且顶层和底层均为A层光子晶体；A层和B层光子晶体均由旋磁介质柱按正方晶格形式排列而成，且具有相同的晶格常数，且B层和A层光子晶体中的旋磁介质柱在x方向和y方向上错开半个周期；B层和A层光子晶体中施加于的旋磁介质柱的磁场等大相反；层间耦合层具有反演对称性的AB层间耦合层和BA层间耦合层。上述三维轴子绝缘体具有非共面手性棱态，能实现能量的非互易传输。进一步，本发明还基于上述三维轴子绝缘体提供一种多端口隔离器及其设计方法，得到的多端口隔离器在微波频段具有高隔离度和低损耗的特点。
本发明授权三维轴子绝缘体、多端口隔离器及其设计方法在权利要求书中公布了：1.一种基于旋磁光子晶体构建的轴子绝缘体，其特征在于，包括交替堆叠的A层光子晶体和B层光子晶体，以及用于光子晶体层间耦合的层间耦合层，且所述轴子绝缘体的顶层和底层均为A层光子晶体； 所述A层光子晶体和B层光子晶体均由旋磁介质柱按正方晶格形式排列而成；所述B层光子晶体和A层光子晶体具有相同的晶格常数，且B层光子晶体中的旋磁介质柱与A层光子晶体中的旋磁介质柱在x方向和y方向上错开半个周期； 所述B层光子晶体中施加于旋磁介质柱的磁场与A层光子晶体中施加于的旋磁介质柱的磁场等大相反； 所述层间耦合层包括具有反演对称性的AB层间耦合层和BA层间耦合层。
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