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龙图腾网获悉西安理工大学申请的专利应用于多节串联电池电压采样的低漏电流高压选择电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119341167B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411732545.1，技术领域涉及：H02J7/00；该发明授权应用于多节串联电池电压采样的低漏电流高压选择电路是由郭仲杰;高宇洋;白易娜;巩成军;陈晅设计研发完成，并于2024-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本应用于多节串联电池电压采样的低漏电流高压选择电路在说明书摘要公布了：本发明公开了应用于多节串联电池电压采样的低漏电流高压选择电路，包括电池电压采样的高压选择电路、高压开关HSWITCH1和高压开关HSWITCH2，电池电压采样的高压选择电路由多节串联锂电池构成，第一、二节电池电压由一组高压开关选择，第三节电池电压搭配电池正负端匹配电路进行选择，N节电池对应N+4个采样开关。本发明解决了现有技术中存在的BCD工艺中LDMOS作为电池电压采样的高压选择开关时，典型结构中会存在由电池电压提供的一股下拉或上拉电流，从而影响电池电量的一致性，进一步影响电池的使用效率和寿命的问题。

本发明授权应用于多节串联电池电压采样的低漏电流高压选择电路在权利要求书中公布了：1.应用于多节串联电池电压采样的低漏电流高压选择电路，其特征在于，包括电池电压采样的高压选择电路、高压开关HSWITCH1和高压开关HSWITCH2，所述电池电压采样的高压选择电路由多节串联锂电池构成，第一、二节电池电压由一组高压开关HSWITCH2选择，第三节电池电压搭配电池正负端匹配电路进行选择，N节电池对应N+4个采样开关； 采用两背靠背串联的P-LDMOS作为低漏电流高压开关HSWITCH1，所述HSWITCH1中，P-LDMOS管DMP1的源极连接输入电池电压Vbat_in，DMP1的漏极连接P-LDMOS管DMP2的漏极构成背靠背的高压开关HSWITCH1，DMP2的源极连接输出电池电压Vbat_out；电流源产生电路为R1，R1连接低压NMOS管MN1的栅漏端和低压NMOS管MN2、MN3、MN4的栅极作为电流镜复制电流；电阻R2的一端连接输入电池电压Vbat_in，另一端连接N-LDMOS管DMN2的漏极，DMN2的源极连接MN3的漏极构成DMP1的偏置电路； 两背靠背串联的N-LDMOS作为低漏电流高压开关HSWITCH2，所述HSWITCH2中，N-LDMOS管DMN1的漏极连接输入电池电压Vbat_in，DMN1的源极连接N-LDMOS管DMN2的源极构成背靠背的高压开关HSWITCH2，DMN2的漏极输出电池电压Vbat_out；电流源产生电路为R1，R1连接低压NMOS管MN1的栅漏端和低压NMOS管MN2的栅极；N-LDMOS管DMN3的源极连接MN2的漏极，DMN3的漏极连接P-LDMOS管DMP1的栅漏极和P-LDMOS管DMP2的栅极，DMP1的源极连接低压PMOS管MP1的栅漏极和PMOS管MP2的栅极，MP2的漏极连接DMP2的源极，DMP2的漏极连接电阻R2，R2的另一端连接DMN1和DMN2的源极构成高压开关HSWITCH2的偏置电路。

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