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龙图腾网获悉瑶芯微(上海)电子科技股份有限公司申请的专利屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119342867B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411333973.7，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及其制备方法是由余健设计研发完成，并于2024-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及其制备方法，至少包括：于具有外延层的衬底上形成第一沟槽单元及第二沟槽单元，于所述第一沟槽单元内形成第一介质层和第一多晶硅，于所述第二沟槽单元内壁形成组合栅介质层并填充第二多晶硅，所述组合栅介质层由内氧化硅、氮化硅及外氧化硅层叠构成，随后形成体区、源区及上金属层。内氧化硅厚度降低，减少了所述第二沟槽单元内壁两侧氧化硅和多晶硅之间的应力集中；同时，所述组合栅介质层有效减少了后续高温制程对于沟槽内壁界面应力集中的影响，降低了晶圆翘曲的风险。最后，所述组合栅介质层拥有更高的介电常数，使得器件在低的阈值电压下拥有更高的栅极耐压能力，改善栅极漏电且提高了器件性能。

本发明授权屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种屏蔽栅沟槽型MOSFET器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供具有外延层的半导体衬底，于所述外延层表面形成硬掩模层； 图形化所述硬掩模层，并刻蚀所述外延层，于所述外延层中形成多个第一沟槽单元，并去除所述硬掩模层； 于所述第一沟槽单元内壁及所述外延层表面形成第一介质层； 于所述第一介质层上形成填充所述第一沟槽单元的第一多晶硅，并去除位于所述外延层表面的所述第一介质层及所述第一多晶硅； 于所述第一介质层中形成第二沟槽单元，所述第二沟槽单元分布在所述第一多晶硅两侧，且所述第二沟槽单元显露所述第一多晶硅侧壁及所述外延层的侧壁； 形成组合栅介质层，所述组合栅介质层由内氧化硅、氮化硅及外氧化硅层叠构成；所述组合栅介质层覆盖所述第二沟槽单元内壁、所述第一多晶硅表面及所述外延层表面；所述内氧化硅通过热氧化工艺制备所得； 形成覆盖所述组合栅介质层且填充所述第二沟槽单元的第二多晶硅； 于所述第一沟槽单元侧边的所述外延层中形成体区，以及于所述体区中形成源区； 于所述组合栅介质层上形成层间介质层，且所述层间介质层中具有显露所述体区的第一连接孔以及显露所述第一多晶硅的第二连接孔；形成填充所述第一连接孔及所述第二连接孔的上金属结构。

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