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龙图腾网获悉北京晶格领域半导体有限公司申请的专利一种液相法生长碳化硅单晶的方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119352163B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411540023.1，技术领域涉及：C30B29/36；该发明授权一种液相法生长碳化硅单晶的方法及装置是由王国宾;张泽盛设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种液相法生长碳化硅单晶的方法及装置在说明书摘要公布了：本发明涉及碳化硅单晶制备技术领域，特别涉及一种液相法生长碳化硅单晶的方法及装置。本发明实施例提供了一种液相法生长碳化硅单晶的方法，包括：将含有溶剂元素的材料置于耐高温熔体腐蚀的坩埚中加热熔融，在所述坩埚中得到高温溶液；将碳化硅制备的原料块置于所述高温溶液中，以为所述高温溶液中提供碳元素和硅元素；利用第一旋转提拉杆带动碳化硅籽晶进入所述坩埚，使所述碳化硅籽晶与所述高温溶液的液面接触以生长碳化硅单晶。本发明实施例提供了一种液相法生长碳化硅单晶的方法及装置，能够实现碳化硅晶体长时间稳定生长。

本发明授权一种液相法生长碳化硅单晶的方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种液相法生长碳化硅单晶的方法，其特征在于，包括： 将含有溶剂元素的材料置于耐高温熔体腐蚀的坩埚10中加热熔融，在所述坩埚10中得到高温溶液15； 将碳化硅制备的原料块12置于所述高温溶液15中，以为所述高温溶液15中提供碳元素和硅元素； 利用第一旋转提拉杆7带动碳化硅籽晶14进入所述坩埚10，使所述碳化硅籽晶14与所述高温溶液15的液面接触以生长碳化硅单晶； 在所述将碳化硅制备的原料块12置于所述高温溶液15中，以为所述高温溶液15中提供碳元素和硅元素之前，还包括： 旋转所述坩埚10以使所述高温溶液混合均匀；其中，所述坩埚10的转速为10~60rpm； 旋转所述碳化硅籽晶14和所述原料块12，以使所述碳化硅籽晶14和所述原料块12受热均匀；其中，所述碳化硅籽晶14和所述原料块12的转速均为10~60rpm； 所述将碳化硅制备的原料块12置于所述高温溶液15中，包括： 利用第二旋转提拉杆6带动碳化硅制备的原料块12浸入所述高温溶液15中； 在所述利用第一旋转提拉杆7带动碳化硅籽晶14进入所述坩埚10，使所述碳化硅籽晶14与所述高温溶液15的液面接触以生长碳化硅单晶之后，还包括： 监测所述坩埚10中的高温溶液15的液面高度，利用所述第二旋转提拉杆6调节所述原料块12浸入所述高温溶液15中的体积以保持所述高温溶液15的液面高度不变； 在所述利用第一旋转提拉杆7带动碳化硅籽晶14进入所述坩埚10，使所述碳化硅籽晶14与所述高温溶液15的液面接触以生长碳化硅单晶之后，还包括： 保持所述坩埚沿第一方向旋转，将所述原料块的转速由第一转速降至第二转速，同时沿第二方向旋转所述碳化硅籽晶14； 所述坩埚10的转速5~30rpm，所述第一转速50~300rpm，所述第二转速为10~100rpm，所述碳化硅籽晶14的转速为30~200rpm。

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