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龙图腾网获悉深圳市鹏新旭技术有限公司申请的专利半导体器件及其制备方法和半导体设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119361427B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411356758.9，技术领域涉及：H01L21/3105；该发明授权半导体器件及其制备方法和半导体设备是由苏双斌;刘自瑞;毛小刚设计研发完成，并于2024-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制备方法和半导体设备在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及一种半导体器件及其制备方法和半导体设备。制备方法包括：将基底置于沉积腔室的承载台上，于基底表面形成初始材料层；承载台上开设有若干个吸附孔，承载台用于承载并将热量传输至基底，初始材料层包括异常区，吸附孔在基底上的投影位于异常区；确认异常区的初始材料层对应的参数信息，参数信息用于表征初始材料层的厚度；根据参数信息，调整对异常区的初始材料层进行化学机械研磨的第一研磨参数。避免异常区的初始材料层的膜厚引起的缺陷，提高半导体器件的产品良率。

本发明授权半导体器件及其制备方法和半导体设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括： 将基底置于沉积腔室的承载台上；所述承载台上开设有若干个吸附孔，所述承载台用于承载并将热量传输至所述基底； 于所述基底表面形成初始材料层，所述初始材料层包括异常区，所述吸附孔在所述基底上的正投影位于所述异常区； 确认所述异常区的初始材料层对应的参数信息，所述参数信息用于表征所述初始材料层的厚度； 根据所述参数信息，调整对所述异常区的所述初始材料层进行化学机械研磨的第一研磨参数； 所述初始材料层包括环绕所述基底的圆心的第一测试区，所述异常区位于所述第一测试区，所述确认所述异常区的初始材料层对应的参数信息，包括： 在所述第一测试区选取多个第一测量点；所述第一测量点与所述圆心之间的距离等于预设值，多个所述第一测量点沿所述第一测试区的圆周方向均匀排布，所述预设值为所述吸附孔在所述基底上的正投影的中心点与所述圆心之间的距离； 测量得到各所述第一测量点对应的初始材料层的第一中间厚度； 根据各所述第一测量点对应的第一中间厚度，得到所述异常区的所述初始材料层的第一厚度，并以所述第一厚度作为所述参数信息。

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