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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利加速电子抽离的多层N-buffer结构SJ-LIGBT器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119364786B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411343800.3，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权加速电子抽离的多层N-buffer结构SJ-LIGBT器件是由江希;崔志昌;严兆恒;李彦佐;袁嵩;弓小武设计研发完成，并于2024-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本加速电子抽离的多层N-buffer结构SJ-LIGBT器件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种加速电子抽离的多层N‑buffer结构SJ‑LIGBT器件，在传统LIGBT器件的基础上引入N‑pillar漂移区、P‑pillar漂移区形成超级结结构，提高了器件的击穿电压并降低了导通压降；引入了集电极N‑buffer区、集电极P区、集电极金属电极、集电极栅氧化层从而形成电子抽离结构，在器件关断时，集电极正向电压使得集电极P区中出现导电沟道，电子可以流经导电沟道从而直接流入集电极金属电极，无需穿过p区势垒，从而加速了电子的抽离，有效降低了器件的关断时间与关断损耗，引入了N‑bufferlayer1区、N‑bufferlayer2区、N‑bufferlayer3区形成辅助耗尽区域，提高了器件击穿电压，并且为器件关断时电子的抽离提供了路径。

本发明授权加速电子抽离的多层N-buffer结构SJ-LIGBT器件在权利要求书中公布了：1.一种加速电子抽离的多层N-buffer结构SJ-LIGBT器件，其特征在于，包括：发射极P+区1、发射极N+区2、发射极P-well区3、P型衬底区4、发射极金属电极5、栅极氧化层6、栅极金属电极7、N-pillar漂移区8、P-pillar漂移区9、集电极N-buffer区10、集电极P区11、N-bufferlayer1区12、N-bufferlayer2区13、N-bufferlayer3区14、集电极金属电极15以及集电极栅氧化层16； 其中，所述P型衬底区4位于所述多层N-buffer结构SJ-LIGBT器件的最下方，且一端呈梯形结构；所述发射极P-well区3、发射极P+区1、发射极N+区2、发射极金属电极5共同组成发射极区域位于器件顶部的一端；所述栅极氧化层6和栅极金属电极7组成栅极金属区，与所述发射极区域紧挨设置；所述N-pillar漂移区8和所述P-pillar漂移区9在器件顶部中间位置横向交错排布共同组成漂移区；所述集电极N-buffer区10、集电极P区11、N-bufferlayer1区12、N-bufferlayer2区13、N-bufferlayer3区14、集电极金属电极15、集电极栅氧化层16共同组成集电极区域，并置于与发射极区域相对的所属多层N-buffer结构SJ-LIGBT器件顶部的另一端。

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