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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种具有反向续流能力的增强型GaN纵向场效应晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119364844B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411415762.8，技术领域涉及：H10D84/80；该发明授权一种具有反向续流能力的增强型GaN纵向场效应晶体管是由赵智家;魏杰;毕西豪;邓高强;张鹏飞;谢欣桐;薛刚;骆成涛;杨铖;李江欢;罗小蓉设计研发完成，并于2024-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有反向续流能力的增强型GaN纵向场效应晶体管在说明书摘要公布了：本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有反向续流能力的增强型GaN纵向场效应晶体管。本发明主要特征为，刻蚀P‑GaN层时，保留栅极下方的P‑GaN层，实现增强型的同时，在器件另一端保留部分未刻蚀的P‑GaN层，与源极金属形成接触，以此集成一个阳极与源极短接，阴极与漏极短接的续流二极管。其只在反向导通时开启，在正向导通和阻断模式下处于关断状态，不会对器件的正向特性造成影响。相较于在器件外部反向并联续流二极管，减少了寄生参数，提高了功率密度，且工艺简单，易于实现。

本发明授权一种具有反向续流能力的增强型GaN纵向场效应晶体管在权利要求书中公布了：1.一种具有反向续流能力的增强型GaN纵向场效应晶体管，其特征在于，包括沿器件垂直方向依次层叠设置的第一导电材料1、衬底2、漂移区3、势垒层5以及介质钝化层6；器件上表面两端分别具有第二导电材料71和第四导电材料72，并且第二导电材料71和第四导电材料72的下端向下延伸，依次贯穿介质钝化层6和势垒层5后延伸入漂移区3中；在第二导电材料71和第四导电材料72之间的势垒层5上表面具有第一P-GaN层91和第二P-GaN层92，且第一P-GaN层91和第二P-GaN层92被介质钝化层6包裹，其中第一P-GaN层91位于靠近第二导电材料71一侧，并且相互之间具有间距；在漂移区3中还分别具有第一P-GaN埋层41和第二P-GaN埋层42，第一P-GaN埋层41和第二P-GaN埋层42的上端与漂移区3的上端之间具有间距，并且第一P-GaN埋层41的上端一侧与第二导电材料71的下端接触，第一P-GaN埋层41的上端另一侧延伸至位于部分第一P-GaN层91的正下方，第二P-GaN埋层42的上端一侧与第四导电材料72的下端接触，第二P-GaN埋层42的上端另一侧延伸至位于部分第二P-GaN层92的正下方；在第一P-GaN层91的上表面具有第三导电材料8，第三导电材料8超出介质钝化层6上表面的部分向两侧延伸；第四导电材料72靠近第二P-GaN层92的一侧向第二P-GaN层92延伸至第二P-GaN层92的正上方，并且末端向下延伸至与第二P-GaN层92的上表面接触； 所述第一导电材料1与GaN衬底2形成欧姆接触，引出漏极；所述第二导电材料71与漂移区3形成欧姆接触，引出源极；第三导电材料8引出栅极；所述第四导电材料72与漂移区3形成欧姆接触，引出源极。

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