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中南大学王辉获国家专利权

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龙图腾网获悉中南大学申请的专利一种多聚体热电材料的高通量筛选方法及系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119380888B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411415077.5,技术领域涉及:G16C60/00;该发明授权一种多聚体热电材料的高通量筛选方法及系统是由王辉;袁俊鹏;张龙;吴成伟;赵炳渊;李敏设计研发完成,并于2024-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。

一种多聚体热电材料的高通量筛选方法及系统在说明书摘要公布了:本发明公开了一种多聚体热电材料的高通量筛选方法,首先依据结构复杂度小、实验已合成文献和电子带隙从公开材料中筛出半导体材料,进而依据本申请的筛选方法,进一步筛选出硫族聚集半导体材料,然后,利用第一性原理计算对含硫族聚集半导体材料进行力学、动力学稳定性判定,确定室温下稳定的材料;接着,通过第一性原理计算获取稳定材料的二阶、三阶原子间力常数,并利用声子玻尔兹曼输运方程测量材料具有超低晶格热导率;最后,通过计算电输运参数发现达到要求的目标多聚体热电材料。本发明通过高通量筛选方法结合第一性原理计算,能够快速得到目标材料体系。

本发明授权一种多聚体热电材料的高通量筛选方法及系统在权利要求书中公布了:1.一种多聚体热电材料的高通量筛选方法,其特征在于,包括以下步骤: 步骤S1:根据目标数据库,提取预设数量的筛选信息,所述筛选信息至少包括:无机化合物的合成条件、原子数量和电子能带的基本信息; 步骤S2:采用半导体筛选方法,从预设数量的筛选信息中筛出半导体材料; 步骤S3:采用含硫族原子多聚体筛选方法,从半导体材料中筛出含硫族原子多聚体材料; 步骤S4:根据含硫族原子多聚体材料,进行稳定性判断并获取判断为稳定的多聚体材料; 步骤S5:根据稳定多聚体材料,进行晶格热导率测试并计算多聚体材料的电输运参数,进而使用热电优值评估热电性能,获得达到预设要求的目标多聚体热电材料; 在步骤S3中,所述方法包括以下步骤: 步骤S31:采用第一原理计算软件对半导体材料进行优化,获得半导体材料的空间结构信息数据,进而为所述半导体材料包含的每个空间结构构建力场信息数据和预设网格密度数据; 步骤S32:在半导体材料的空间结构信息数据中,使用投影缀加平面波处理电子波函数并采用PBE-GGA交换关联泛函计算电子结构; 步骤S33:根据半导体材料中每个原子的空间结构信息数据,计算出含有硫硫、硒硒或碲碲键长在硫、硒或碲单质中两个原子距离的预设倍数之间的多聚体材料,以此筛出包含至少两个的硫、硒或碲原子数量的多聚体材料。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中南大学,其通讯地址为:410083 湖南省长沙市麓山南路932号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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