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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种射频功率放大器电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119382641B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411382624.4，技术领域涉及：H03F1/42；该发明授权一种射频功率放大器电路是由易楚朋;马晓华;李泽祥;赵子越;卢阳;刘昕设计研发完成，并于2024-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种射频功率放大器电路在说明书摘要公布了：本发明涉及一种射频功率放大器电路，包括：第一阻抗匹配网络、场效应晶体管M1和第二阻抗匹配网络；第一阻抗匹配网络、场效应晶体管M1和第二阻抗匹配网络依次连接，第一阻抗匹配网络的输出端用于作为射频功率放大器电路的输出端，该输出端输出的目标功率信号对应的工作带宽处于预设带宽范围内，并且，目标功率信号对应的工作电压是基于修正后的电阻电抗性混合连续模式下的射频功率放大器电路对应的阻抗空间获得的。该电路可以确保阻抗变化比不增加，并扩宽射频功率放大器电路的阻抗空间，进而加宽射频功率放大器电路的工作带宽，提升射频功率放大器电路的功放效率。

本发明授权一种射频功率放大器电路在权利要求书中公布了：1.一种射频功率放大器电路，其特征在于，包括：第一阻抗匹配网络、场效应晶体管M1和第二阻抗匹配网络； 所述第一阻抗匹配网络、所述场效应晶体管M1和所述第二阻抗匹配网络依次连接，所述第一阻抗匹配网络的输出端用于作为射频功率放大器电路的输出端，所述第二阻抗匹配网络的输入端用于接收输入的第一功率信号； 所述第二阻抗匹配网络用于匹配所述场效应晶体管M1与所述第二阻抗匹配网络的输入端之间的阻抗，以利用所述第一功率信号输出第二功率信号； 所述场效应晶体管M1用于对所述第二功率信号进行放大，得到第三功率信号； 所述第一阻抗匹配网络用于匹配所述场效应晶体管M1与所述第一阻抗匹配网络的输出端之间的阻抗，以利用所述第三功率信号输出目标功率信号，所述目标功率信号对应的工作带宽处于预设带宽范围内，并且，所述目标功率信号对应的工作电压是基于修正后的电阻电抗性混合连续模式下的所述射频功率放大器电路对应的阻抗空间获得的； 所述第一阻抗匹配网络包括：微带线TL1、微带线TL2、微带线TL3、微带线TL4、微带线TL5、电容C1、电容C2、电容C3和电容C4； 所述微带线TL5、所述微带线TL4、所述微带线TL2和所述电容C2依次连接在所述场效应晶体管M1的漏极与所述第一阻抗匹配网络的输出端之间；所述场效应晶体管M1的源极接地，所述场效应晶体管M1的栅极与所述第二阻抗匹配网络的输出端连接； 所述电容C4的一端连接在所述微带线TL5和所述微带线TL4之间，另一端接地； 所述微带线TL3的一端连接在所述微带线TL4和所述微带线TL2之间，另一端和所述电容C1的一端均接入漏极电压Vd，所述电容C1的另一端接地； 所述电容C3的一端连接在所述微带线TL2和所述电容C2之间，另一端接地； 所述微带线TL1的一端与所述电容C2的一端连接，另一端接地； 所述第二阻抗匹配网络包括：微带线TL6、微带线TL7、微带线TL8、微带线TL9、微带线TL10、电容C5、电容C6、电容C7和电容C8； 所述微带线TL6、所述微带线TL8、所述电容C7和所述微带线TL10依次连接在所述场效应晶体管M1的栅极与所述第二阻抗匹配网络的输入端之间； 所述微带线TL9的一端连接在所述电容C7和所述微带线TL10之间，另一端和所述电容C6的一端均接入漏极电压Vd，所述电容C6和所述电容C5串联并接地； 所述电容C8的一端连接在所述微带线TL8和所述电容C7之间，另一端接地； 所述微带线TL7的一端连接在所述微带线TL6和所述微带线TL8之间，另一端与所述电容C5的一端均接入栅极电压Vgs1。

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