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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利高精度低时延模数转换器电容失配自校准电路与方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119382700B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411301784.1，技术领域涉及：H03M1/10；该发明授权高精度低时延模数转换器电容失配自校准电路与方法是由刘术彬;张哲瑜;张延博;熊雨舟;朱樟明设计研发完成，并于2024-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本高精度低时延模数转换器电容失配自校准电路与方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高精度低时延模数转换器电容失配自校准电路与方法，校准过程主要包括采样与置位阶段、量化阶段、放大阶段和积分阶段共四个阶段；通过将ADC自身部分DAC单元作为校准DAC，对待校准DAC单元产生的误差电压进行指数增量型量化估计，而后在数字域或模拟域进行补偿，实现了电容失配误差的校准。在增加较小硬件开销的前提下，通过结合指数增量型ADC的量化原理，突破了原有的误差检测范围，使得小于1LSB的误差也可以被估计，并优化了校准DAC自身失配对校准效果的限制，能够实现24位高精度低时延ADC电容失配误差的准确校准。

本发明授权高精度低时延模数转换器电容失配自校准电路与方法在权利要求书中公布了：1.一种高精度低时延模数转换器电容失配自校准电路，其特征在于，包括： 噪声整形单元，用于根据信号clk_ns1的控制对所述自校准电路中的CDAC阵列的上极板余量电压放大G倍后存储，根据信号clk_ns2的控制将存储的余量电压输入所述CDAC阵列；每个CDAC阵列包含M位主电容； 余量清除单元，用于在对第m位电容校准之前，根据信号clk_reset的控制清除所述噪声整形单元中存储的上极板余量电压；M为大于1的正整数，m为正整数，m的取值为预设整数x至M-1，x为第一预设正整数； 采样开关单元，用于在对所述第m位电容校准时，根据信号clk_sample的控制进行共模电压VCM的接入，以由每个CDAC阵列进行采样； 置位与量化单元，用于在对所述第m位电容校准时，根据信号clk_set和clk_comp的控制对所述第m位电容交替进行两种不同的置位操作，并在每种置位操作后对第m-1至第1位电容进行一轮量化，将当前轮量化产生的上极板余量电压输入所述噪声整形单元，再根据所述噪声整形单元中存储的上极板余量电压进行下一轮量化，直至在每种置位操作下对所述第m-1至第1位电容进行p轮量化；p为第二预设正整数； 校准与存储单元，用于根据信号clk_cal的控制基于所述p轮量化产生的所述第m-1至第1位电容的校准码，以及所述第m-1至第1位电容的权重和放大倍数G，确定所述第m位电容的权重，完成对所述第m位电容的校准，并将所述第m位电容的权重存储以用于第m+1位电容的校准； 所述两种不同的置位操作包括置1操作和置0操作；当每个CDAC阵列中还包含冗余电容时，所述校准与存储单元计算出的每个CDAC阵列中的所述第m位电容的权重的表达式如下： 其中，表示所述第m位电容的权重，n表示位于所述第1位至所述第m位电容之间的n位冗余电容，表示第i位电容的权重，表示在对所述第m位电容进行置1操作下在对所述第m-1至第1位电容进行第p-k+1轮量化时生成的所述第i位电容的校准码，表示第ir位冗余电容的权重，表示在对所述第m位电容进行置1操作下在对所述第m-1至第1位电容进行第p-k+1轮量化时生成的所述第ir位冗余电容的校准码，表示ADC的系统偏移误差，表示在对所述第m位电容进行置0操作下在对所述第m-1至第1位电容进行第p-k+1轮量化时生成的所述第i位电容的校准码，表示在对所述第m位电容进行置0操作下在对所述第m-1至第1位电容进行第p-k+1轮量化时生成的所述第ir位冗余电容的校准码。

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