厦门大学;厦门大学九江研究院张峰获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门大学;厦门大学九江研究院申请的专利一种开窗式电荷层分离的SACM结构碳化硅紫外雪崩光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119384091B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411486246.4，技术领域涉及：H10F77/14；该发明授权一种开窗式电荷层分离的SACM结构碳化硅紫外雪崩光电探测器及其制备方法是由张峰;刘佳;洪荣墩;张锐军;李梓聪;沈祖俊设计研发完成，并于2024-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种开窗式电荷层分离的SACM结构碳化硅紫外雪崩光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：一种开窗式电荷层分离的SACM结构碳化硅紫外雪崩光电探测器及其制备方法，涉及紫外光电探测器。探测器自下而上设有碳化硅高掺杂n+型衬底、碳化硅n型缓冲层、碳化硅低掺杂n‑层，n‑层中设小面积均匀分布的分离式碳化硅n型电荷层，n型电荷层上为碳化硅低掺杂n‑型倍增层，n‑型倍增层上对应分离式n型电荷层处设开窗式碳化硅高掺杂p+型欧姆接触层，p+型欧姆接触层开窗处设二氧化硅钝化隔离层，p+型欧姆接触层上表面设p+型欧姆接触电极，n+型衬底的背面设n+型欧姆接触电极。通过多个小面积SACM结构和i‑n结构组成，电场相互连接耦合，加速光生载流子至倍增层产生雪崩击穿，实现微弱紫外信号探测。
本发明授权一种开窗式电荷层分离的SACM结构碳化硅紫外雪崩光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种开窗式电荷层分离的SACM结构碳化硅紫外雪崩光电探测器，其特征在于自下而上设有碳化硅高掺杂n+型衬底，在碳化硅高掺杂n+型衬底上设碳化硅n型缓冲层，在碳化硅n型缓冲层的中心向上设碳化硅低掺杂n-层，在碳化硅低掺杂n-层中设小面积均匀分布的分离式碳化硅n型电荷层用于对雪崩电场的调制并保持雪崩的均匀性，分离式碳化硅n型电荷层之下为碳化硅低掺杂n-型吸收层，用于光生载流子的耗尽；分离式碳化硅n型电荷层之上为碳化硅低掺杂n-型倍增层，用于光生载流子的倍增，在碳化硅低掺杂n-型倍增层上对应分离式n型电荷层处设开窗式碳化硅高掺杂p+型欧姆接触层用于光生载流子的收集，在开窗式碳化硅高掺杂p+型欧姆接触层设有二氧化硅钝化隔离层，在开窗式碳化硅高掺杂p+型欧姆接触层上表面设有p+型欧姆接触电极，在碳化硅高掺杂n+型衬底的背面设有n+型欧姆接触电极。
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