西安电子科技大学杭州研究院;西安电子科技大学石理平获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学杭州研究院;西安电子科技大学申请的专利一种激光诱导周期性结构增强的光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119384108B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411518403.5，技术领域涉及：H10F77/40；该发明授权一种激光诱导周期性结构增强的光电探测器及其制备方法是由石理平;钮盼盼;马可昭;耿娇设计研发完成，并于2024-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种激光诱导周期性结构增强的光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请的实施例涉及光电探测技术领域，特别涉及一种激光诱导周期性结构增强的光电探测器及其制备方法，光电探测器包括：自下而上的衬底层、光栅模板层、底面金属层、半导体层和表面金属层；注入光注入表面金属层，因表面金属层的纳米光栅结构而激发表面等离子体激元共振，提升注入光的吸收效率，底面金属层、半导体层和表面金属层之间有褶皱形纳米光栅结构；底面金属层、半导体层和表面金属层形成法布里‑珀罗腔结构，注入光进入腔体后，在腔内形成驻波，与材料进行相互作用，产生腔内共振增强效应；通过调整光栅模板层的光栅结构的周期和半导体层的厚度，能够实现光电探测器的多波长选择。该光电探测器制备简便，可灵活调控，适用于批量生产。
本发明授权一种激光诱导周期性结构增强的光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种激光诱导周期性结构增强的光电探测器，其特征在于，包括：自下而上的衬底层1、光栅模板层2、底面金属层3、半导体层4和表面金属层5； 因光栅模板层2的结构性传递，沉积在光栅模板层2上方的底面金属层3、半导体层4和表面金属层5，同样具有纳米光栅结构； 注入光注入表面金属层5，因表面金属层5的纳米光栅结构而激发表面等离子体激元共振，从而增强局部电场，进而提升注入光的吸收效率，同时底面金属层3、半导体层4和表面金属层5之间具有褶皱形纳米光栅结构，用以提升热电子注入的效率； 底面金属层3、半导体层4和表面金属层5构成金属-半导体-金属结构，并形成法布里-珀罗腔结构，注入光进入法布里-珀罗腔结构后，在腔内形成驻波，与材料进行相互作用，产生腔内共振增强效应，从而提升光生载流子的产生率； 通过调整光栅模板层2的光栅结构的周期和半导体层4的厚度，能够实现光电探测器的多波长选择。
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