重庆邮电大学王琦获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆邮电大学申请的专利基于超表面的氮化硅波导与氮化镓可见光光源耦合结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119384128B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411501930.5，技术领域涉及：H10H20/84；该发明授权基于超表面的氮化硅波导与氮化镓可见光光源耦合结构是由王琦;刘大鹏;黄义;张红升;吉鹏程设计研发完成，并于2024-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于超表面的氮化硅波导与氮化镓可见光光源耦合结构在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于超表面的氮化硅波导与氮化镓可见光光源耦合结构，属于光电子集成技术领域。该结构从下自上包括硅衬底、二氧化硅包层、氮化硅波导层超表面结构、BCB键合层、P型氮化镓层、氮化镓多量子阱层、N型氮化镓层和PN型电极。本发明通过设计氮化硅波导的尺寸匹配可见光单模传输条件与氮化镓发光波长范围，在氮化硅波导层刻蚀制备周期性超表面结构调控氮化镓可见光的振幅、相位和偏振，实现可见光与氮化硅波导的高效率耦合，同时通过BCB键合层实现两种不同材料体系的集成。该设计可有效实现氮化硅光子集成芯片可见光源集成，解决氮化硅波导与可见光激光器耦合损耗较大、对准精度要求高等难题，为芯片级生物医疗检测和光谱分析提供光源实现方案。
本发明授权基于超表面的氮化硅波导与氮化镓可见光光源耦合结构在权利要求书中公布了：1.基于超表面的氮化硅波导与氮化镓可见光光源耦合结构，其特征在于：包括： 硅衬底； 位于所述硅衬底上的二氧化硅包层； 位于所述二氧化硅包层上的氮化硅波导层，其截面尺寸支持可见光波长范围的单一模式传输； 位于所述氮化硅波导层上的超表面结构，所述超表面结构具有周期性亚波长级别的孔洞，用于对可见光波长范围的光进行振幅、相位和偏振的精确调控； 位于所述超表面结构上的BCB键合层，用于将氮化硅波导层与氮化镓器件键合； 氮化镓器件，包括： P型氮化镓层； 位于所述P型氮化镓层上的氮化镓多量子阱层； 位于所述氮化镓多量子阱层上的N型氮化镓层； 位于所述P型氮化镓层上的P型电极； 位于所述N型氮化镓层上的N型电极。
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