江西兆驰半导体有限公司茹浩获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种LED芯片制备方法及LED芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119403306B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411509160.9，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种LED芯片制备方法及LED芯片是由茹浩;鲁洋;吴晓霞;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2024-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种LED芯片制备方法及LED芯片在说明书摘要公布了：本发明提供一种LED芯片制备方法及LED芯片，通过对GaN外延层进行MSA刻蚀，具体的，MSA刻蚀分为两次刻蚀，首先通入Cl2刻蚀GaN外延层，直至暴露出部分N型GaN层，然后通入SiCl4气体再进行刻蚀；将刻蚀后的晶圆放入BOE溶液中浸泡，后进行清洗；将清洗后的晶圆通过黄光工艺将光刻胶图形化，漏出晶圆上需要蒸镀金属的区域；将黄光工艺后的晶圆置于氧等离子体清洗机台中，去除显影后晶圆表面的残胶；使用去离子水充分清洗去除残胶后的晶圆，随后在晶圆上需要蒸镀金属的区域蒸镀金属电极，得到N电极金属层，通过上述工艺可以进一步降低金属电极与N型GaN层的接触电阻的同时，提高LED芯片发光亮度。
本发明授权一种LED芯片制备方法及LED芯片在权利要求书中公布了：1.一种LED芯片制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供一GaN外延层，所述GaN外延层包括依次沉积的N型GaN层、多量子阱层以及P型GaN层； 对所述GaN外延层进行MSA刻蚀，MSA刻蚀分为两次刻蚀，首先通入Cl2刻蚀所述GaN外延层，直至暴露出部分N型GaN层，然后通入SiCl4气体再进行刻蚀； 将刻蚀后的晶圆放入BOE溶液中浸泡，后进行清洗； 将清洗后的晶圆通过黄光工艺将光刻胶图形化，漏出晶圆上需要蒸镀金属的区域； 将黄光工艺后的晶圆置于氧等离子体清洗机台中，去除显影后晶圆表面的残胶； 使用去离子水充分清洗去除残胶后的晶圆，随后在晶圆上需要蒸镀金属的区域蒸镀金属电极，得到N电极金属层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人江西兆驰半导体有限公司，其通讯地址为：330000 江西省南昌市高新技术产业开发区天祥北大道1717号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励