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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种氮化物发光二极管外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119421571B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411358544.5，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种氮化物发光二极管外延片及其制备方法是由胡加辉;郑文杰;程龙;高虹;刘春杨;金从龙设计研发完成，并于2024-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氮化物发光二极管外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氮化物发光二极管外延片及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。本发明的氮化物发光二极管外延片，包括衬底，以及在衬底上依次层叠的缓冲层、N型层、组合层、电子阻挡层和P型层；组合层包括由下至上依次层叠生长的电子陷阱层和极化层；电子陷阱层包括由下至上依次周期性交替生长的Mg掺杂ScGaN层和BGaN层；极化层包括由下至上依次周期性交替生长的N面极性量子阱层、N面极性量子垒层、Ga面极性AlGaN层和N面极性Si掺InAlGaN层。本发明的氮化物发光二极管外延片，能够增加空穴与电子的有效复合效率，减少电子溢流和减少多量子阱的斯塔克效率，进而能提升GaN基LED芯片的发光效率，解决了当前GaN基LED的发光效率较低的问题。

本发明授权一种氮化物发光二极管外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化物发光二极管外延片，包括衬底，其特征在于，还包括在所述衬底上依次层叠的缓冲层、N型层、组合层、电子阻挡层和P型层； 所述组合层包括由下至上依次层叠生长的电子陷阱层和极化层； 所述电子陷阱层包括由下至上依次周期性交替生长的Mg掺杂ScGaN层和BGaN层； 所述极化层包括由下至上依次周期性交替生长的N面极性量子阱层、N面极性量子垒层、Ga面极性AlGaN层和N面极性Si掺InAlGaN层； 所述Ga面极性AlGaN层中Al组分的占比为0~0.3，且在周期性生长中，所述Ga面极性AlGaN层中的Al组分在每个周期内呈现递增的变化趋势； 所述Ga面极性AlGaN层的厚度为0~110nm，在周期性生长中，Ga面极性AlGaN层的厚度逐渐递减，厚度递减幅度在5~10nm； 在周期性生长所述N面极性Si掺InAlGaN层时，Si元素的掺杂浓度以外延生长方向为周期性递减模式。

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