北京大学杨诗祺获国家专利权
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龙图腾网获悉北京大学申请的专利一种基于CrSBr隧穿结构实现多参数光电探测的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119437415B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411557557.5，技术领域涉及：G01J1/42；该发明授权一种基于CrSBr隧穿结构实现多参数光电探测的方法是由杨诗祺;叶堉设计研发完成，并于2024-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于CrSBr隧穿结构实现多参数光电探测的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于CrSBr隧穿结构实现多参数光电探测的方法。该方法利用二维反铁磁半导体CrSBr中的自旋‑电子耦合效应，通过对隧穿结构施加不同光子能量和偏振度的光照可以得到稳定且具有极高线二向色性的光电流响应，并被磁场有效调控，实现多参数光电探测。本发明为研究新一代自旋‑电子‑光电子器件和灵敏的多场传感器提供了重要的材料平台和研究基础。
本发明授权一种基于CrSBr隧穿结构实现多参数光电探测的方法在权利要求书中公布了：1.一种基于CrSBr材料隧穿结构实现多参数光电探测方法，具体步骤包括： 1通过干法转移方法分别将石墨材料、CrSBr材料、石墨材料依次放在预制电极的SiSiO2衬底上，得到隧穿结器件； 2将上述隧穿结器件降温至2K，对隧穿结器件施加特定电压，基于可变波长的超连续激光器改变入射光子能量和功率，得到该电压下随入射光子能量变化的光电流大小及光响应度，得到光电流-光子能量谱； 3改变入射光的偏振角度，测量步骤2光电流随入射光偏振角度的“8”字图形分布，极大值沿CrSBr材料晶格b轴，极小值沿CrSBr材料晶格a轴，并利用入射光沿两个极值方向偏振的光电流-光子能量谱相除，得到光电流的线二向色性谱； 4将入射光子偏振固定在沿CrSBr材料晶体b轴角度下，改变外加磁场和光子能量，探测得到磁场-光子能量的光电流响应相图。
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