北京超弦存储器研究院王耐征获国家专利权
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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利一种半导体器件及其制造方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486115B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311014334.X，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体器件及其制造方法、电子设备是由王耐征;田超;贾礼宾;平延磊设计研发完成，并于2023-08-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制造方法、电子设备在说明书摘要公布了：一种半导体器件及其制造方法、电子设备，所述半导体器件包括：多个沿着垂直衬底方向堆叠的晶体管，贯穿所述不同层沿着垂直衬底方向延伸的字线；所述半导体层包括与所述第一电极或者第二电极接触的第一部分，以及，不与所述第一电极、第二电极接触的第二部分，所述第一部分仅沿垂直于衬底方向延伸；所述第二部分包括沿垂直于所述衬底方向延伸的第一延伸部和从所述第一延伸部向远离所述字线侧壁且平行于所述衬底方向延伸的第二延伸部；多个半导体层断开设置。本公开实施例提供的方案，半导体器件的结构简单，且制作工艺简单。
本发明授权一种半导体器件及其制造方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 多个晶体管，分布于不同层沿着垂直衬底方向堆叠； 字线，贯穿所述不同层沿着垂直衬底方向延伸； 所述晶体管包括第一电极、第二电极和环绕所述字线侧壁的半导体层；所述半导体层包括与所述第一电极和第二电极接触的第一部分，以及，不与所述第一电极、第二电极接触的第二部分，所述第一部分仅沿垂直于衬底方向延伸；所述第二部分包括沿垂直于所述衬底方向延伸的第一延伸部和从所述第一延伸部向远离所述字线侧壁且平行于所述衬底方向延伸的第二延伸部； 所述多个晶体管的多个半导体层物理上断开设置，所述多个半导体层分布在所述字线侧壁的不同区域。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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