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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种高压LED芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486390B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411703496.9，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种高压LED芯片及其制备方法是由张星星;汪恒青;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2024-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高压LED芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高压LED芯片及其制备方法，制备方法包括：对外延层远离衬底的一侧涂覆正性光刻胶；提供第一掩膜版，调整第一掩膜版的位置，使第一掩膜版的透光区与非桥接区的预设位置相对应，进行曝光处理，使非桥接区形成具有陡直角度的倾斜面；提供第二掩膜版，所述第二掩膜版具有多个不同尺寸的透光区，调整第二掩膜版的位置，使第二掩膜版的透光区与桥接区的预设位置相对应，利用第二掩膜版的多个不同尺寸的透光区进行n次光刻，使桥接区形成具有平缓角度的倾斜面，其中，n≥1且为整数；进行显影处理、刻蚀处理。实施本发明的制备方法，有效增加了发光面积，同时又利于电极桥接，使得到的高压LED芯片具有良好的发光效率和发光亮度。

本发明授权一种高压LED芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高压LED芯片的制备方法，其特征在于，包括： 在衬底上设置外延层，所述外延层至少包括N型半导体、量子阱和P型半导体； 对外延层进行蚀刻以露出N型半导体层，形成切割道； 在切割道位置处进行光刻、刻蚀处理，形成隔离槽，所述隔离槽包括非桥接区和桥接区； 其中，所述在切割道位置处进行光刻、刻蚀处理，形成隔离槽，包括： 1对外延层远离衬底的一侧涂覆正性光刻胶； 2提供第一掩膜版，调整第一掩膜版的位置，使第一掩膜版的透光区与非桥接区的预设位置相对应，进行曝光处理，使非桥接区形成具有陡直角度的倾斜面； 3提供第二掩膜版，调整第二掩膜版的位置，使第二掩膜版的透光区与桥接区的预设位置相对应，所述第二掩膜版的透光区具有多个不同尺寸的子透光区，利用第二掩膜版的多个不同尺寸的子透光区进行n次光刻，使桥接区形成具有平缓角度的倾斜面，其中，n≥1且为整数； 4进行显影处理，形成角度陡直的非桥接结构和角度平缓的桥接结构； 5进行刻蚀处理，形成角度陡直的非桥接区和角度平缓的桥接区。

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