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龙图腾网获悉西北大学申请的专利一种高熵陶瓷-聚合物复合储能电介质薄膜材料、制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119505308B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411634663.9，技术领域涉及：C08J5/18；该发明授权一种高熵陶瓷-聚合物复合储能电介质薄膜材料、制备方法与应用是由崔斌;王妍;陈瑞聪;赵文慧设计研发完成，并于2024-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高熵陶瓷-聚合物复合储能电介质薄膜材料、制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明涉及储能电容器电介质技术领域，提出一种高熵陶瓷‑聚合物复合储能电介质薄膜材料、制备方法与应用。本发明的材料化学组成可以表示为Sr0.7Bi0.2TiO3@Ba0.25Ca0.25La0.25Na0.25TiO3PVDF，缩写为SBT@BCLNTPVDF，其中PVDF为聚偏氟乙烯，BCLNT与SBT的比为9wt％～18wt％，SBT@BCLNT与PVDF的比为3wt％～12wt％。通过对SBT包覆BCLNT进行高熵化处理得到具有“芯‑壳”结构的SBT@BCLNT高熵陶瓷填料；再以PVDF聚合物为基体材料采用流延法制备SBT@BCLNTPVDF高熵陶瓷‑聚合物复合储能电介质薄膜。

本发明授权一种高熵陶瓷-聚合物复合储能电介质薄膜材料、制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种高熵陶瓷-聚合物复合储能电介质薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、制备SBT粉体材料，所述制备SBT粉体材料的具体方法为：通过沉淀法以TiCl4溶液、BiNO33溶液和SrAc2溶液为反应物制备得到SBT前驱体沉淀，进一步对SBT前驱体沉淀洗涤、干燥得到SBT粉体材料； S2、使用步骤S1得到的SBT粉体材料为“芯”部材料，通过溶胶-凝胶法制备BCLNT进行包覆SBT粉体材料，从而得到具有“芯-壳”结构的SBT@BCLNT高熵陶瓷填料，并达到BCLNT对SBT粉体材料进行高熵化的目的； 所述步骤S2包括以下步骤： S21、将钛酸四丁酯溶解到乙醇溶液中； S22、将BaNO32的醋酸溶液、CaNO32水溶液、LaAc3水溶液和NaNO3水溶液依次加入步骤S21得到的溶液中，并搅拌1h得到含有钡、钙、镧、钠和钛离子的混合溶液； S23、将步骤S1得到的SBT粉体材料加入步骤S22得到的混合溶液中，充分搅拌，得到浑浊液； S24、将步骤S23得到的浑浊液进行搅拌并加入氨水调节pH＝6，得到含有SBT@BCLNT前驱体溶胶； S25、将步骤S24得到的SBT@BCLNT前驱体溶胶经过水浴加热凝胶化得到凝胶； S26、将步骤S25得到的凝胶干燥后再经过煅烧，得到高熵化的具有“芯-壳”结构的SBT@BCLNT高熵陶瓷填料粉体； S3、将步骤S2得到的具有“芯-壳”结构的SBT@BCLNT高熵陶瓷填料添加至PVDF聚合物基体中复合得到涂膜液； S4、通过刮涂方式将S3得到的涂膜液涂覆在洁净的玻璃面板上，得到SBT@BCLNTPVDF高熵陶瓷-聚合物复合储能电介质薄膜。

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