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龙图腾网获悉西安电子科技大学芜湖研究院;西安电子科技大学申请的专利基于多沟槽和浮动结的二极管雪崩整型器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119521688B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411461537.8，技术领域涉及：H10D8/20；该发明授权基于多沟槽和浮动结的二极管雪崩整型器及其制备方法是由周瑜;杨祯;韩超;汤晓燕;宋庆文;孙乐嘉;袁昊;杜丰羽;张玉明设计研发完成，并于2024-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于多沟槽和浮动结的二极管雪崩整型器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于多沟槽和浮动结的二极管雪崩整型器及其制备方法，该器件包括SiC衬底、SiC外延层、沟槽区、P+区、浮动结区、负电极和正电极；其中，沟槽区设置在SiC外延层的表层，包括均匀分布的多个沟槽；P+区自沟槽区两侧的SiC外延层上表面向下延伸至沟槽区下方，并形成U型结构；P+区的底部向下形成有多个凸起结构；浮动结区设置在SiC外延层内部的中线位置处，包括多个P+型浮动结；P+型浮动结的数量和沟槽的数量以及凸起结构的数量相同；且多个P+型浮动结对应设置在多个沟槽的正下方。该结构设计可以使器件内部电场分布更加均匀，延展了延迟雪崩发生的范围，提升了器件性能，且无需复杂的掺杂工艺。

本发明授权基于多沟槽和浮动结的二极管雪崩整型器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于多沟槽和浮动结的二极管雪崩整型器，其特征在于，包括：SiC衬底1、SiC外延层2、沟槽区3、P+区4、浮动结区5、负电极6和正电极7；其中， 所述SiC衬底1具有第一上表面11、第二上表面12以及两个斜角侧边13；所述第二上表面12位于所述第一上表面11上方，且所述第二上表面12的长度小于所述第一上表面11的长度；所述两个斜角侧边13对称分布在所述第二上表面12两端，并连接所述第二上表面12和所述第一上表面11； 所述SiC外延层2位于所述SiC衬底1的第二上表面12上方，且为梯形结构；所述SiC外延层2的两个侧边分别与所述SiC衬底1的两个斜角侧边13位于同一条直线上； 所述沟槽区3设置在所述SiC外延层2的表层，包括均匀分布的多个沟槽31； 所述P+区4自所述沟槽区3两侧的SiC外延层2上表面向下延伸至所述沟槽区3下方，并形成U型结构；所述P+区4的底部向下形成有多个凸起结构41；所述凸起结构41的数量和所述沟槽31的数量相同，且多个凸起结构41对应设置在多个沟槽31的正下方； 所述浮动结区5设置在所述SiC外延层2内部的中线位置处，包括多个P+型浮动结51；所述P+型浮动结51的数量和所述沟槽31的数量以及所述凸起结构41的数量相同；且多个P+型浮动结51对应设置在多个凸起结构41的正下方； 所述负电极6位于所述SiC衬底1下方；所述正电极7位于所述SiC外延层2的上表面，并覆盖所述沟槽区3和部分所述P+区4。

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