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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种自驱动低维非铅类钙钛矿紫外探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119521928B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411634349.0，技术领域涉及：H10K30/60；该发明授权一种自驱动低维非铅类钙钛矿紫外探测器及其制备方法是由胡赵胜;常晶晶;胡星;张博尧;林珍华;苏杰;魏葳设计研发完成，并于2024-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种自驱动低维非铅类钙钛矿紫外探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于光电探测技术领域，涉及一种自驱动低维非铅类钙钛矿紫外探测器，器件基于氧化物半导体低维类钙钛矿II型异质结，包括衬底基片、图案化底电极、氧化物半导体层、低维类钙钛矿层和窗口顶电极；图案化底电极与窗口顶电极图案互补，且均为复合电极，含有分别接触异质结下表面和上表面的扩散阻挡层；窗口区域为探测器的受光区域。器件特点在于结合了异质结内建电场有利于分离光生电荷的优势，同时紫外光可直接入射光吸收体，避免了传输损耗；且采用了反、正溶剂蒸汽辅助梯度退火技术，获得了高质量类钙钛矿薄膜；并利用扩散阻挡层同时阻挡离子在底电极氧化物及类钙钛矿顶电极两界面处扩散。本发明工艺简单，器件光响应快、稳定、环保。

本发明授权一种自驱动低维非铅类钙钛矿紫外探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种自驱动低维非铅类钙钛矿紫外探测器，其特征在于，从下到上依次包括衬底基片、图案化底电极、氧化物半导体层、低维类钙钛矿层和窗口顶电极； 所述氧化物半导体层与所述低维类钙钛矿层的材料为带隙相近的宽带隙材料，导电类型相反，并能构成II型异质结；所述图案化底电极与所述窗口顶电极的图案互补，所述图案化底电极与所述窗口顶电极的窗口区域的垂直投影完全重合； 所述图案化底电极为单金属层扩散阻挡层复合电极，其中，扩散阻挡层与所述氧化物半导体层接触；所述窗口顶电极为扩散阻挡层单金属层复合电极，其中的扩散阻挡层则与所述低维类钙钛矿层接触；所述窗口区域为紫外探测器的受光区域，紫外光能直接从所述窗口区域入射至所述II型异质结； 所述低维类钙钛矿层中的低维类钙钛矿材料选自Cs-Ag-I体系或Cs-Cu-I体系，所述Cs-Ag-I体系包括CsAg2I3、Cs3Ag2I5，所述Cs-Cu-I体系包括CsCu2I3、Cs3Cu2I5； 所述氧化物半导体层的材料为SnO2、ZnO、Ga2O3、NiOx或Cu2O； 所述氧化物半导体层的厚度为50-200nm，所述低维类钙钛矿层的厚度为100-400nm； 所述扩散阻挡层具有阻挡离子扩散的导电材料，包括氮化钛、钛或钽，厚度为1-10nm。

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