杭州电子科技大学陈凯淇获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州电子科技大学申请的专利一种基于SOT的数字与门和或门的实现装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119543917B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411588148.1，技术领域涉及：H03K19/0185；该发明授权一种基于SOT的数字与门和或门的实现装置是由陈凯淇;周铁军;燕玉明;李凯;冯向设计研发完成，并于2024-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于SOT的数字与门和或门的实现装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于SOT的数字与门和或门的实现装置，包括两个磁性隧道结、SOT耦合层、四个MOS管和读控制电路；SOT耦合层一端连接第一MOS管的源极和第二MOS管的源极，另一端接地；两个尺寸不同的磁性隧道结MTJ1和MTJ2固定在SOT耦合层表面，磁性隧道结由下至上依次为自由层、氧化物隔离层和固定层，磁性隧道结的固定层分别连接第三MOS管的源极和第四MOS管的源极；第三MOS管和第四MOS管的漏极和栅极均连接读控制电路。本发明测量的电流数据不会因为掉电而丢失，及具存储功能，并且结构尺寸面积较小，适合用于高密度的存算一体结构。
本发明授权一种基于SOT的数字与门和或门的实现装置在权利要求书中公布了：1.一种基于SOT的数字与门和或门的实现装置，其特征在于，包括两个磁性隧道结、SOT耦合层、四个MOS管和读控制电路； SOT耦合层一端连接第一MOS管的源极和第二MOS管的源极，另一端接地；两个尺寸不同的磁性隧道结MTJ1和MTJ2固定在SOT耦合层表面，磁性隧道结MTJ1和MTJ2由下至上依次为自由层、氧化物隔离层和固定层，磁性隧道结MTJ1的固定层连接第三MOS管的源极，磁性隧道结MTJ2的固定层连接第四MOS管的源极；第三MOS管和第四MOS管的漏极和栅极均连接读控制电路； 所述第一MOS管的栅极连接第一输入电压，第二MOS管的栅极连接第二输入电压，第一MOS管的漏极连接固定电压VIN1，第二MOS管的漏极连接固定电压VIN2；根据第一输入电压和第二输入电压调节磁性隧道结MTJ1和MTJ2的阻值。
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